| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其步骤包含:a.提供一基材;b.于该基材表面上形成一金属层;c.将该基材浸泡到一酸性溶液中,而形成一高介电金属氧化介电层;e.于该高介电金属氧化介电层上涂布一导电层,而形成一闸极;f.蚀刻该导电层,而露出该基材之一源极预定区域与一汲极预定区域;及g.植入离子以形成一汲极与一源极。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该基材系选自矽(Si)、形变矽(strained Si)、矽锗(SiGe)、锗(Ge)、钪族元素(ⅢB)、钛族元素(ⅣB)与钒族元素(ⅤB)所构成的组合其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该高介电金属层系选自铪(Hf)、锆(Zr)、镧(La)与钇(Y)所构成的组合其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该高介电金属氧化介电层系选自氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化镧(La2O3)、氧化钇(Y2O3)、矽氧化铪(HfSiO)与矽氧化锆(ZrSiO)所构成的组合其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该高介电金属层之厚度系为3埃至60埃之间。6.如申请专利范围第5项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该酸性溶液系为浓度系大于0.1%的硝酸。7.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该步骤a更包含有去除该基材表面之天然氧化层的步骤。8.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该去除该基材表面之氧化层的步骤后,更包含形成一氧化层的步骤。9.如申请专利范围第8项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该形成该氧化层的步骤后,更包含有形成氮化层的步骤。10.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该步骤b系采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、分子束磊晶(MBE)、阳极电镀或无电极电镀法形成该高介电金属层。11.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该导电层系由金属材料或复晶材料所构成。12.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,更可应用于记忆体元件。13.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法,其中该步骤c之后,还包含有进行高温回火作业,以去除该高介电金属氧化介电层中的杂质的步骤。图式简单说明:第1图为本发明金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法之制作流程示意图;及第2图与第3图为本发明金氧半电晶体之高介电値闸极介电层的制造方法之制作示意图。 |
