| 主权项 |
1.一种覆晶封装结构,包括:一基板,具有一上表面与一下表面,该基板内部更包括:一第一容置区,开设于该上表面,具有一第一内侧壁及一第一底面;一第二容置区,开设于该第一底面,具有一第二内侧壁及一第二底面;一晶片,设置于该第一容置区;复数个焊料凸块,设置于该第二容置区,其中该晶片之正面系经由该些焊料凸块与该第二底面电性连接;一散热片,配置于该基板之该上表面及该晶片之背面;一散热胶,用以将该散热片黏着于该基板之上表面及该晶片之背面;以及复数个焊球,配置于该基板之该下表面。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该晶片覆盖该第一底面之开口。3.如申请专利范围第2项所述之覆晶封装结构,其中该晶片之周缘与该第一内侧壁之间具有一间隙。4.如申请专利范围第3项所述之覆晶封装结构,其中该晶片之周缘、该第一内侧壁及部分之该第一底面形成一缓冲区。5.如申请专利范围第4项所述之覆晶封装结构,其中该缓冲区更填充有该散热胶。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该晶片厚度与该第一内侧壁之高度约略相等。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该焊料凸块之高度至少与该第二内侧壁之高度相等。8.一种覆晶封装结构,包括:一基板,具有一上表面与一下表面,该基板中更包括一容置区,其中该容置区具有一内侧壁及一底面,并形成一开口于该上表面;一晶片,配置于该基板之该上表面并覆盖该开口;复数个焊料凸块,设置于该容置区,其中该晶片之正面系经由该些焊料凸块与该底面电性连接;一散热片,配置于该基板之该上表面及该晶片之背面;一散热胶,用以将该散热片黏着于该基板之上表面及该晶片之背面;以及复数个焊球,配置于该基板之该下表面。9.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装结构,其中该焊料凸块之高度至少与该内侧壁之高度相等。10.一种覆晶封装件之基板结构,包括:一上表面;一下表面,该下表面系与该上表面相对;一第一容置区,用以容置一晶片,该第一容置区系开设于该上表面,具有一第一内侧壁及一第一底面;以及一第二容置区,用以容置复数个焊料凸块,该第二容置区系开设于该第一底面,具有一第二内侧壁及一第二底面;其中,该晶片之正面系经由该些焊料凸块与该第二底面电性连接。11.如申请专利范围第10项所述之基板结构,其中该晶片覆盖该第一底面之开口。12.如申请专利范围第11项所述之基板结构,其中该晶片之周缘与该第一内侧壁之间具有一间隙。13.如申请专利范围第12项所述之基板结构,其中该晶片之周缘、该第一内侧壁及部分之该第一底面形成一缓冲区。14.如申请专利范围第13项所述之基板结构,其中该上表面及该晶片之背面设置有一散热片。15.如申请专利范围第14项所述之基板结构,其中该散热片系透过一散热胶黏着于该上表面及该晶片之背面。16.如申请专利范围第15项所述之基板结构,其中该缓冲区更填充有该散热胶。17.如申请专利范围第10项所述之基板结构,其中该该下表面配置复数个焊球。18.如申请专利范围第10项所述之基板结构,其中该晶片厚度与该第一内侧壁之高度约略相等。19.如申请专利范围第10项所述之基板结构,其中该焊料凸块之高度至少与该第二内侧壁之高度相等。图式简单说明:第1图绘示乃传统之一种覆晶式封装件的结构图。第2图绘示依照本发明一较佳实施例的覆晶封装件之基板结构的示意图。第3图绘示第2图之基板结构,装设一晶片于基板中之示意图。第4图绘示依照本发明第一较佳实施例的覆晶封装结构之示意图。第5图绘示依照本发明第二较佳实施例的覆晶封装结构之示意图。 |
