| 主权项 |
1.一种半导体单结晶拉晶装置,系具备:筒状主室(4),内藏有存放半导体熔融液之坩埚(4a);盖状顶室(5),以可分离的方式载置在主室(4)上部;炉腔(6),以可介离的方式载置在顶室(5)之上部,并收容在前述坩埚(4a)之熔融液处成长而拉晶出之单结晶;及俯视大致呈马蹄形之磁铁(7),设置在主室(4)外周部;并且具备各腔之升降机构和回旋机构;其特征在于:前述主室(4)之回旋机构,系在前述磁铁(7)之大致呈马蹄形开口侧端部之一端侧附近,设置沿大致上下方向立设之第1柱(31);并且具有设于第1柱(31)之支撑构件(37),以使主室(4)在结晶拉晶位置(A)升降时,能够在磁铁(7)之开口部(7a)内升降。2.如申请专利范围第1项之半导体单结晶拉晶装置,其中,使炉腔(6)退避到结晶取出(将单结晶取出到外部)位置(B)之升降机构以及回旋机构,系设置在磁铁(7)之侧面部。3.一种半导体单结晶拉晶装置,系具备:筒状主室(4),内藏有存放半导体熔融液之坩埚(4a);盖状顶室(5),以可分离的方式载置在主室(4)上部;炉腔(6),以可分离的方式载置在顶室(5)上部,并收容在前述坩埚(4a)之熔融液处成长而拉晶出之单结晶;及俯视大致呈马蹄形之磁铁(7),设置在主室(4)外周部;并且具备各腔之升降机构和回旋机构;其特征在于:前述主室(4)之回旋机构,系在前述磁铁(7)之大致呈马蹄形开口侧端部之一端侧附近,设置沿大致上下方向立设之第1柱(31),并且具有设置在第1柱(31)之支撑构件(37),以使主室(4)在结晶拉晶位置(A)升降时,能够在磁铁(7)之开口部(7a)内升降;将前述炉腔(6)之回旋机构和升降机构,沿大致上下方向设置在磁铁(7)侧面部;在磁铁(7)之侧面部设置结晶取出位置(B)。4.一种半导体单结晶拉晶装置之生产线构造,系并排设置复数之申请专利范围第3项之半导体单结晶拉晶装置,将该复数之半导体单结晶拉晶装置之前述结晶取出位置(B)排成直线状,将前述磁铁(7)之具有开口部(7a)之侧面部当作制品搬运线。5.一种半导体单结晶拉晶装置,系具备:筒状主室(4),内藏有存放半导体熔融液之坩埚(4a);盖状顶室(5),以可分离的方式载置在主室(4)上部;炉腔(6),以可分离的方式载置在顶室(5)之上部,并收容在前述坩埚(4a)之熔融液处成长而拉晶出之单结晶;及俯视大致呈马蹄形之磁铁(7),设置在主室(4)外周部;并且具备各腔之升降机构和回旋机构;其特征在于:前述主室(4)之回旋机构,系在前述磁铁(7)之大致呈马蹄形开口侧端部之一端侧附近,设置沿大致上下方向立设之第1柱(31);并且具有设于第1柱(31)之支撑构件(37),以使主室(4)在结晶拉晶位置(A)升降时,能够在磁铁(7)之开口部(7a)内升降;将前述炉腔(6)之回旋机构和升降机构,设置在磁铁(7)之具有前述开口部(7a)之侧面之相反侧的侧面部;在与前述第1柱(31)对向之磁铁(7)侧面部设置结晶取出位置(B)。6.一种半导体单结晶拉晶装置之生产线构造,系排列设置复数之申请专利范围第5项之半导体单结晶拉晶装置,将该复数之半导体单结晶拉晶装置之前述结晶取出位置(B)排成直线状,将与前述第1柱(31)对向之磁铁(7)侧面部当作制品搬运线。7.如申请专利范围第2、3、5项中任一项之半导体单结晶拉晶装置,其中,将顶室(5)自结晶拉晶位置(A)退出之升降机构和回旋机构,系并设在前述第1柱(31),或者是并设在设有炉腔(6)之回旋、升降机构的第2柱(21)。图式简单说明:第1图系第1实施型态之单结晶拉晶装置作动时之侧视图。第2图系第1实施型态之单结晶拉晶装置设定时之侧视图。第3图系第1实施型态之单结晶拉晶装置设定时之俯视图。第4图系第2图之Z视图。第5图系第1实施型态单结晶拉晶装置的生产线构成例。第6图系第1实施型态之单结晶拉晶装置设定时之俯视图。第7图系第2实施型态单结晶拉晶装置的生产线构成例。第8图系习知单结晶拉晶装置之部分剖面前视图。第9图系习知单结晶拉晶装置之俯视图。 |
