| 主权项 |
1.一种电路装置,其特征为具有:可透过焊材安装半导体元件的晶片焊垫;接近前述晶片焊垫而设置的接合垫;以及形成在前述晶片焊垫及前述接合垫之表面的电镀膜,其中,与前述晶片焊垫之用来载置前述半导体元件的第1电镀膜周围分开而设置用来防止前述焊材流出的第2电镀膜,并利用两电镀膜间的空间防止从前述第1电镀膜溢出的前述焊材流出。2.如申请专利范围第1项之电路装置,其中,在前述第1电镀膜的两侧面设置凸部,使前述焊材从前述凸部流出而使焊材扩展至周围。3.如申请专利范围第2项之电路装置,其中,利用前述凸部使前述焊材扩展至周围,藉此使前述半导体元件维持平行状态。4.如申请专利范围第1项之电路装置,其中,前述半导体元件是IC晶片。5.如申请专利范围第1项之电路装置,其中,前述半导体元件是透过金属细线与预期的前述接合垫作电性连接。6.一种电路装置,其特征为具有:可安装半导体元件的晶片焊垫;接近前述晶片焊垫而设置,并且与前述晶片焊垫电性分离的第1接合垫;接近前述晶片焊垫而设置,并且与前述晶片焊垫一体形成的第2接合垫;以及使前述晶片焊垫、前述第1接合垫及前述第2接合垫的背面露出而密封前述半导体元件、前述晶片焊垫、前述第1接合垫及前述第2接合垫的绝缘性树脂,藉由使前述第2接合垫透过宽度狭窄形成的配线部与前述晶片焊垫相连接,以使前述第2接合垫与前述绝缘性树脂接触的面积增大,并且强化接合垫与前述绝缘性树脂的接合。7.如申请专利范围第6项之电路装置,其中,前述第1接合垫是沿着前述晶片焊垫之相对向的两个边设置复数个。8.如申请专利范围第6项之电路装置,其中,前述第2接合垫是沿着前述晶片焊垫之相对向的另外两个边设置复数个。9.如申请专利范围第6项之电路装置,其中,前述半导体元件是透过金属细线使预期的前述第1接合垫及第2接合垫作电性连接。10.如申请专利范围第6项之电路装置,其中,前述第1接合垫及前述第2接合垫是形成圆形。11.一种电路装置,其特征为具有:可安装半导体元件的晶片焊垫;包围前述晶片焊垫而设置的接合垫;设在前述晶片焊垫之背面的第1外部电极;设在前述接合垫之背面的第2外部电极;以及在对应于前述两外部电极的部位形成开口部,并且覆盖背面的光阻剂,并且使设在对应于前述第2外部电极之部位的前述光阻剂的开口部大于前述接合垫,并利用从前述开口部露出的前述接合垫之背面的湿润性、以及作为涂布于前述接合垫背面之外部电极之材料的焊材量来限制前述第2外部电极的大小。12.如申请专利范围第11项之电路装置,其中,前述第1外部电极是由前述光阻剂的开口部限制位置及大小。13.一种电路装置的制造方法,其特征为具有:准备导电箔的步骤;在前述导电箔形成比其厚度浅的分离凹槽,以形成可构成复数个电路装置部的晶片焊垫及接合垫的步骤;在对应于预定固接的半导体元件之区域的前述晶片焊垫表面形成第1电镀膜,同时以包围前述区域的方式形成第2电镀膜的步骤;透过焊材将半导体元件固接于前述第1电镀膜上的步骤;进行前述半导体元件与预期的前述导电图案之打线接合的步骤;利用绝缘性树脂以覆盖前述半导体元件,并且填充于前述分离凹槽的方式,共同进行成型的步骤;去除前述导电箔的背面直到前述绝缘性树脂露出为止的步骤;以及藉由切割前述绝缘性树脂而分离成各电路装置的步骤。14.如申请专利范围第13项之电路装置的制造方法,其中,在前述第1电镀膜的周端部设置凸部,并且使前述焊材从前述凸部流出,藉此使前述半导体元件维持平行状态。15.如申请专利范围第13项之电路装置的制造方法,其中,使从前述凸部流出的前述焊材沿着前述第2电镀膜流动,藉此防止前述焊材从前述晶片焊垫表面流出。16.如申请专利范围第13项之电路装置的制造方法,其中,前述焊材是焊锡或银(Ag)胶。图式简单说明:第1图是说明本发明之电路装置的俯视图(A)、剖视图(B)。第2图是说明本发明之电路装置的俯视图(A)、后视图(B)、剖视图(C)。第3图是说明本发明之电路装置的后视图(A)、剖视图(B)。第4图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、俯视图(B)。第5图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图。第6图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、俯视图(B)。第7图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、俯视图(B)。第8图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、俯视图(B)。第9图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、俯视图(B)。第10图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、俯视图(B)。第11图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、俯视图(B)。第12图是说明本发明之电路装置的制造方法的剖视图(A)、剖视图(B)、俯视图(C)。第13图是说明习知电路装置的剖视图。第14图是说明习知电路装置的剖视图。 |
