| 主权项 |
1.一种微细化图型用被覆形成剂,其特征为,使用于被覆具有光阻图型之基板上,利用其热收缩作用,缩小光阻图型之间隔后,实质上完全除去该被覆,形成微细图型用之被覆形成剂,含有水溶性聚合物及水溶性氟化物。2.如申请专利范围第1项之微细化图型用被覆形成剂,其中水溶性氟化物系至少一种选自氟化烷基醇类及氟化烷基羧酸类。3.如申请专利范围第1项之微细化图型用被覆形成剂,其中水溶性氟化物系至少一种选自碳原子数为6个以下之氟化烷基醇类。4.如申请专利范围第1项之微细化图型用被覆形成剂,其中含有水溶性氟化物,于被覆形成剂(固形成份)中为0.1至30质量%。5.如申请专利范围第1项之微细化图型用被覆形成剂,其中水溶性聚合物系至少一种选自烯烃基二醇类聚合物、纤维素类衍生物、乙烯类聚合物、丙烯酸类聚合物、尿素类聚合物、环氧类聚合物、蜜胺类聚合物及醯胺聚合物。6.如申请专利范围第1项之微细化图型用被覆形成剂,其中水溶性聚合物系至少一种选自烯烃基二醇类聚合物、纤维素类衍生物、乙烯类聚合物及丙烯酸类聚合物。7.如申请专利范围第1项之微细化图型用被覆形成剂,其中被覆形成剂系浓度为3至50质量%之水溶液。8.一种形成微细图型之方法,其特征为,包含于具有光阻图型之基板上,被覆如申请专利范围第1项之微细化图型用被覆形成剂后,以热处理使该被覆形成剂热收缩,利用该热收缩作用,缩小光阻图型间之间隔,其次,将该被覆形成剂实质上完全除去之步骤。9.如申请专利范围第8项之形成微细图型之方法,其中热处理系以不引起基板上之光阻图型热流动之温度,进行加热。 |
