| 主权项 |
1.一种固态电解电容器,系具备有:基体,其系由铌所构成;氮化铌层,其系形成于前述基体的表面;以及介电层,系由形成于前述氮化铌层表面之氧化铌所构成。2.如申请专利范围第1项之固态电解电容器,其中,阳极系由前述基体与该氮化铌层构成。3.如申请专利范围第1项之固态电解电容器,其中,前述介电层系未含有氮。4.如申请专利范围第1项之固态电解电容器,其中,前述氮化铌层系实质的由Nb2N构成。5.如申请专利范围第1项之固态电解电容器,其中,氮含量,系相对于前述基体、前述氮化铌层及前述介电层的总量,为0.001重量%以上且0.2重量%以下。6.如申请专利范围第1项之固态电解电容器,其中,氮含量,系相对于前述基体、前述氮化铌层及前述介电层的总量,为0.001重量%以上且0.08重量%以下。7.一种固态电解电容器,系具备有:阳极,其系由氮化铌所构成;以及介电层,其系由形成于该阳极表面上的氧化铌所构成。8.如申请专利范围第7项之固态电解电容器,其中,前述氮化铌系由NbNX构成,且前述X为0.05以上且1以下。9.如申请专利范围第7项之固态电解电容器,其中,前述氮化铌系由NbNX构成,且前述X为0.05以上且0.75以下。10.如申请专利范围第7项之固态电解电容器,其中,前述阳极系由氮组成比不同的复数种类的氮化铌混合物构成。11.一种固态电解电容器之制造方法,系具备有:藉由使由铌所构成之基体的表面进行氧化,而形成由氧化铌所构成介电层的步骤;藉由将已形成前述介电层的前述基体,在氮气环境中施行热处理之方式,而在前述基体与前述介电层之间形成氮化铌层的步骤;以及施行阳极氧化的步骤。12.如申请专利范围第11项之固态电解电容器之制造方法,其中,前述热处理温度为300℃以上且920℃以下。13.如申请专利范围第11项之固态电解电容器之制造方法,其中,前述热处理温度为300℃以上且800℃以下。14.一种固态电解电容器之制造方法,系具备,藉由使由氮化铌所构成阳极表面进行氧化之方式,而在前述阳极的表面形成由氧化铌所构成介电层的步骤。图式简单说明:第1图系本发明第一实施形态的固态电解电容器构造图。第2图系第二实施形态的固态电解电容器构造图。第3图系实施例1之电容器的阳极及介电层的剖视图。第4图系相关实施例1之电容器,利用ESCA所实施的测定结果图。第5图系相关比较例1之电容器,利用ESCA所实施的测定结果图。第6图系相关比较例2之电容器,利用ESCA所实施的测定结果图。第7图系实施例1之电容器的漏电流测定方法模式图。 |
