| 主权项 |
1.一种墨水槽成型技术,包括下列步骤:提供一矽晶片,其表面包含有一第一预定墨水槽区域,且其背面包含有一第二预定墨水槽区域;于该矽晶片表面之第一预定墨水槽区域内形成一形成一凹槽;自该矽晶片背面去除该第二预定墨水槽区域内之该矽晶片,直至使该第二预定墨水槽区域以及该第一预定墨水槽区域连通,以形成一墨水槽。2.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中该第一预定墨水槽区域之面积较小,该第二预定墨水槽区域之面积较大,可使该墨水槽之底部开口尺寸较大、顶部开口尺寸较小。3.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中该凹槽系为两封闭长条,且位于该第一预定墨水槽区域之周围。4.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中该凹槽系为ㄇ字型轮廓,且位于该第一预定墨水槽区域之周围。5.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中该凹槽之面积系相当于该第一预定墨水槽区域之面积。6.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中去除该矽晶片以连通该第二预定墨水槽区域以及该第一预定墨水槽区域的方法为喷砂制程。7.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中去除该矽晶片以连通该第二预定墨水槽区域以及该第一预定墨水槽区域的方法为蚀刻制程。8.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中该凹槽之制作方法,包含有:于该矽晶片表面上形成一第一喷砂保护膜;于该第一喷砂保护膜上形成一渠沟,该渠沟之轮廓与位置系与该凹槽之轮廓与位置相同;以及去除该渠沟下方之该矽晶片,以形成该凹槽。9.如申请专利范围第8项所述之墨水槽成型技术,其中该渠沟之制作是进行曝光显影处理方式。10.如申请专利范围第8项所述之墨水槽成型技术,其中该渠沟之制作是进行微影蚀刻制程。11.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中去除该矽晶片以连通该第二预定墨水槽区域以及该第一预定墨水槽区域的方法,系包含有:于该矽晶片背面上形成一第二喷砂保护膜;于该第二喷砂保护膜内形成一开口,该开口之轮廓与位置系与该第二预定墨水槽区域之轮廓与位置相同;以及自该矽晶片背面去除该开口与该凹槽之间的该矽晶片,进而形成该墨水槽。12.如申请专利范围第11项所述之墨水槽成型技术,其中该开口之制作是进行曝光显影处理方式。13.如申请专利范围第11项所述之墨水槽成型技术,其中该开口之制作是进行微影蚀刻制程。14.如申请专利范围第1项所述之墨水槽成型技术,其中该凹槽之深度范围为50~200m。15.一种墨水槽成型技术,包括下列步骤:提供一矽晶片,其表面包含有一第一预定墨水槽区域,且其背面包含有一第二预定墨水槽区域;于该矽晶片表面上形成一第一喷砂保护膜;曝光处理该第一喷砂保护膜;于该矽晶片背面上形成一第二喷砂保护膜;曝光处理该第二喷砂保护膜;显影处理该第一喷砂保护膜以及该二喷砂保护膜,以于该第一喷砂保护膜之第一预定墨水槽区域内形成一渠沟,并于该第二喷砂保护膜之第二预定墨水槽区域内形成一开口;自该矽晶片表面去除该第一预定墨水槽区域之暴露区域,以于该渠沟下方之该矽晶片内形成一凹槽;以及自该矽晶片背面去除该第二预定墨水槽区域之暴露区域,直至使该第二预定墨水槽区域以及该第一预定墨水槽区域连通,以形成一墨水槽。16.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中该第一预定墨水槽区域之面积较小,该第二预定墨水槽区域之面积较大,可使该墨水槽之底部开口尺寸较大、顶部开口尺寸较小。17.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中该渠沟系为两封闭长条,且位于该第一预定墨水槽区域之周围。18.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中该渠沟系为ㄇ字型轮廓,且位于该第一预定墨水槽区域之周围。19.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中该渠沟之面积系相当于该第一预定墨水槽区域之面积。20.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中该开口之面积系相当于该第二预定墨水槽区域之面积。21.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中该凹槽之深度范围为50~200m。22.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中自该矽晶片表面形成该凹槽之方法为喷砂处理。23.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中自该矽晶片表面形成该凹槽之方法为蚀刻制程。24.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中自该矽晶片背面形成该墨水槽之方法为喷砂处理。25.如申请专利范围第15项所述之墨水槽成型技术,其中自该矽晶片背面形成该墨水槽之方法为蚀刻制程。图式简单说明:第1A图显示习知喷墨列印头之上视图。第1B图系沿第1A图之切线A-A显示习知喷墨室与墨水通道之剖面示意图。第2A至2D图显示本发明第一实施例之墨水槽成型技术的示意图。第2A'与2B'图显示本发明第一实施例之渠沟轮廓的一种变化。第2A"与2B"图显示本发明第二实施例之渠沟轮廓的一种变化。第3图显示本发明第一实施例之墨水槽成型技术的流程图。第4图显示本发明第二实施例之墨水槽成型技术的流程图。第5图显示本发明第三实施例之墨水槽成型技术的流程图。 |
