反应式溅镀之量子井制造方法

摘要

本发明系为一种反应式溅镀之量子井制造方法，该方法系包括于真空环境下利用反应式溅镀法连续沉积一过渡金属氮氧化物薄膜层于一基板上；再于真空环境下利用反应式溅镀法连续沉积一过渡金属氧化物薄膜层于该金属氮氧化物薄膜层上；形成一薄膜介面于该金属氧化物薄膜层及该金属氮氧化物薄膜层接触面上；及自动进行氮氧原子的置换且产生氮氧组成比例交变之二维介面。本发明之量子井位能与空间的相关特征为一渐近变化曲线，此量子井内电子能阶间的能量差为近似常数，该量子井系可应用于共振穿隧电晶体，并且所制造的共振穿隧电晶体具有环保、制程简易、低制造成本等多项优点。

主权项

1.一种反应式溅镀之量子井制造方法,该方法系包括:于真空环境下利用反应式溅镀法连续沉积一过渡金属氮氧化物薄膜层于一基板上;再于真空环境下利用反应式溅镀法连续沉积一厚度为10-80奈米之过渡金属氧化物薄膜层于该金属氮氧化物薄膜层上;形成一薄膜介面于该金属氧化物薄膜层及该金属氮氧化物薄膜层接触面上;及自动进行在该薄膜介面中之氮氧原子的置换且产生氮氧,组成一比例交变之二维介面,即形成一量子井。2.如申请专利范围第1项所述之反应式溅镀之量子井制造方法,其中该基板系为平坦化陶瓷基板。3.如申请专利范围第1项所述之反应式溅镀之量子井制造方法,其中该过渡金属系为钛。4.如申请专利范围第1项所述之反应式溅镀之量子井制造方法可应用于制造共振穿隧电晶体。图式简单说明:第一A图系为接续沉积金属氮氧化物薄膜与金属氧化物薄膜的相对关系图;第一B图系为本发明之量子位能井结构图;第二图系为简易的共振穿隧电晶体结构图;第三图系为共振穿电晶体负微分电阻的电流-电压特性曲线示意图;第四A图系为共振穿隧电晶体俯视图;及第四B图系为最大穿隧电流相对于闸极电压的关系图。