| 主权项 |
1.一种过热保护电路,其系包含:一个半导体开关元件,该半导体开关元件系设置于由一个电源供应器至一个负载之间之电流路径上,且实施将该路径变成导通及中断之操作;及一个操作模式控制电路,该操作模式控制电路系用于控制该半导体开关元件于:一个第一操作模式,于该第一操作模式中,当一个温度侦测部分之该温度系增加且达到一预定中断温度时,一个导通操作系被转移至一个中断操作;以及一个第二操作模式,于该第二操作模式中,当该温度侦测部分之该温度系减少且达到一个低于该中断温度一预定値之返回温度时,该中断操作系转移至该导通操作;其中,该操作模式控制电路系包含一个第一正温度系数热敏电阻器、一个第二正温度系数热敏电阻器及一个控制元件,且使用该第一正温度系数热敏电阻器于该第一操作模式中之电阻値之改变以及该第二正温度系数热敏电阻器于该第二操作模式中之电阻値之改变,该半导体开关元件之该操作转移系由该控制元件所控制,且该第一操作模式及该第二操作模式之每一个系于该两个正温度系数热敏电阻器系热耦合至该温度侦测部分之状态下受到控制。2.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该控制元件系为一个控制电晶体,该第一正温度系数热敏电阻器系连接于该控制电晶体之该基极及该半导体开关元件之该输出端点之间,且该第二正温度系数热敏电阻器系连接于该控制电晶体之该基极及该半导体开关元件之该输入端点之间。3.如申请专利范围第2项之过热保护电路,其中,该半导体开关元件系为一个开关电晶体,且其中,该控制电晶体之该集极系直接连接至该开关电晶体之该基极或者透过一个限流电阻而连接至该开关电晶体之该基极。4.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该控制元件系为一个控制电晶体,该第二正温度系数热敏电阻器系连接于该半导体开关元件之该输入端点及该输出端点之间,且该第一正温度系数热敏电阻器系连接于该控制电晶体之该基极及该半导体开关元件之该输出端点之间。5.如申请专利范围第4项之过热保护电路,其中,该半导体开关元件系为一个开关电晶体,且该控制电晶体之该集极系直接连接至该开关电晶体之该基极或者透过一个限流电阻而连接至该开关电晶体之该基极。6.如申请专利范围第2项之过热保护电路,其中,一个齐纳二极体系连接至该控制电晶体之该射极,使得该齐纳二极体之极性方向系与该控制电晶体之该基极及该射极之间之极性方向相反。7.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该半导体开关元件系建构该温度侦测部分,且该两个正温度系数热敏电阻器系热耦合至该半导体开关元件。8.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该半导体开关元件系定义一个中断电路。9.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该半导体开关元件之一个集极及一个射极系以串联方式置入该电流路径之内。10.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该操作模式控制电路系包含一个齐纳二极体及一对电阻器。11.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该第一及第二正温度系数热敏电阻器系热耦合至该半导体开关元件,以构成该温度侦测部分。12.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该第一及第二正温度系数热敏电阻器系具有彼此不同的居礼(Curie)点。13.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该第一及第二正温度系数热敏电阻器系透过电阻器而连接至该半导体开关元件。14.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该第二正温度系数热敏电阻器系并联于该半导体开关元件之该集极及该射极之间。15.如申请专利范围第1项之过热保护电路,其中,该半导体开关元件系包含一个双极电晶体及一个金氧半导体场效电晶体之一。图式简单说明:第1图系为一个根据本发明之一个较佳实施例之一个过热保护电路之电路图;第2A图系为一个显示一个开关电晶体及正温度系数热敏电阻器之间之热耦合之一个范例的垂直剖面图;第2B图系为一个显示一个开关电晶体及正温度系数热敏电阻器之间之热耦合之另一个范例的俯视图;第3图系显示一个第一正温度系数热敏电阻器及一个第二正温度系数热敏电阻器之间之电阻値相对于温度之特性;第4图系为一个根据本发明之另一个较佳实施例之一个过热保护电路之电路图;第5图系为一个根据本发明之另一个较佳实施例之一个过热保护电路之电路图;第6图系为一个根据本发明之另一个较佳实施例之一个过热保护电路之电路图;第7图系为一个根据本发明之另一个较佳实施例之一个过热保护电路之电路图;及第8图系为一个相关过热保护电路之电路图。 |
