| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包含下列连续之步骤:沈积一金属导电薄膜于基础绝缘薄膜上;连续沈积第一及第二绝缘薄膜在金属导电薄膜上;将第一及第二绝缘薄膜图案化,以得到实质上相同之图案化区域;将该第二绝缘薄膜选择性地从第一绝缘薄膜上蚀刻,以使第二绝缘薄膜具有比第一绝缘薄膜窄之宽度;藉由使用第一及第二绝缘薄膜做为蚀刻遮罩将金属导电薄膜图案化;在第一及第二绝缘薄膜及基础绝缘薄膜上沈积一第三绝缘薄膜;回蚀该第三绝缘薄膜,以得到覆盖至少该图案化之金属导电薄膜之侧壁薄膜;及沈积第四绝缘薄膜在整个区域上,以将侧壁氧化物薄膜埋藏。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该回蚀步骤将该侧壁氧化物薄膜变成具有宽度朝底部变大之倾斜台状构造。3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在该第四绝缘薄膜沈积步骤之后,尚包含藉由使用该侧壁薄膜做为一蚀刻停止物以蚀刻该第四绝缘薄膜以形成一接触孔且在该接触孔内形成一接点插塞之步骤。4.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该第一及第二绝缘薄膜系分别为矽氮化物薄膜及矽氧化物薄膜。5.一种半导体装置的制造方法,包含下列连续之步骤:沈积一金属导电薄膜于基础绝缘薄膜上;连续沈积第一及第二绝缘薄膜在金属导电薄膜上;将第一及第二绝缘薄膜图案化,以得到实质上相同之图案化区域;藉由使用第一及第二绝缘薄膜做为蚀刻遮罩将金属导电薄膜图案化;将该第二绝缘薄膜选择性地从第一绝缘薄膜上蚀刻,以使第二绝缘薄膜具有比第一绝缘薄膜窄之宽度;在第一及第二绝缘薄膜及基础绝缘薄膜上沈积一第三绝缘薄膜;回蚀该第三绝缘薄膜,以得到覆盖至少该图案化之金属导电薄膜之侧壁薄膜;及沈积第四绝缘薄膜,以将在基础氧化物薄膜上之侧壁氧化物薄膜埋藏。6.如申请专利范围第5项之半导体装置的制造方法,其中该回蚀步骤将该侧壁氧化物薄膜变成具有宽度朝底部变大之倾斜台状构造。7.如申请专利范围第5项之半导体装置的制造方法,其中在该第四绝缘薄膜沈积步骤之后,尚包含藉由使用该侧壁薄膜做为一蚀刻停止物以蚀刻该第四绝缘薄膜以形成一接触孔且在该接触孔内形成一接点插塞之步骤。8.如申请专利范围第5项之半导体装置的制造方法,其中该第一及第二绝缘薄膜系分别为矽氮化物薄膜及矽氧化物薄膜。图式简单说明:图1A至1G系依照本发明之第一实施例之半导体装置之制造制程之连续步骤之剖面图;图2A至2G系依照本发明之第二实施例之半导体装置之制造制程之连续步骤之剖面图;图3A至3E系先前技术之半导体装置之制造制程之连续步骤之剖面图;图4A至4F系另一先前技术之半导体装置之制造制程之连续步骤之剖面图。 |
