| 主权项 |
1.一种非接触式电磁感应识别密码积体电路,系包含一控制电路,藉以侦测一输入接脚,并提供一编码信号,以决定该非接触式电磁感应识别密码积体电路之一识别密码,该控制电路包含:一方波信号源,藉以提供一方波信号至该输入接脚,使该输入接脚产生一回应信号;以及一正反器组,系电连接至该输入接脚,并藉由该输入接脚之该回应信号及该方波信号产生该编码信号,俾决定该识别密码。2.如申请专利范围第1项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该输入接脚之该回应信号系包含一低电位准,一高电位准及一漂浮位准等三种型式。3.如申请专利范围第1项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中更包含一缓冲器,该缓冲器系介于该方波信号源及该输入接脚之间。4.如申请专利范围第1项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该正反器组系为一D型正反器组。5.如申请专利范围第4项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该D型正反器组由三个D型正反器组成。6.如申请专利范围第1项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中更包含一史密特触发器,该史密特触发器介于该正反器组及该输入接脚之间。7.如申请专利范围第1项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该编码信号系为二位元编码信号,藉以代表该输入接脚之三种型式。8.一种非接触式电磁感应识别密码积体电路,系至少包含一输入接脚,该输入接脚系因应一编码需求,而于一制作过程中,自三种形式之输入接脚中,形成其中之一种输入接脚,以决定该非接触式电磁感应识别密码积体电路之一识别密码。9.如申请专利范围第8项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该输入接脚之三种形式包含一高电位准、一低电位准及一漂浮位准。10.如申请专利范围第8项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该制作过程系为一打线之制作过程。11.如申请专利范围第8项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该输入接脚更可为N个,N为大于0之整数。12.如申请专利范围第11项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该N个输入接脚决定N的三次方个识别密码。13.如申请专利范围第12项所述之非接触式电磁感应识别密码积体电路,其中该N的三次方个识别密码系存于该非接触式电磁感应识别密码积体电路内。图式简单说明:图一:习用非接触式电磁感应识别密码之方块图。图二(a)(b):本案较佳实施例之三态输入脚接脚电位控制电路及真値表。图三:本案较佳实施例之IC惟读记忆体内的编码表。图四:本案较佳实施例之。图五(a)(b)(c):本案较佳实施例因应图四之方块图。 |
