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发明名称
CMP用浆液、研磨方法及半导体装置之制造方法
摘要
本发明之CMP用浆液系由包含复合化之树脂成分与无机成分之复合型粒子及树脂粒子所组成,该浆液之黏度低于10mPas。
申请公布号
TW200509184
申请公布日期
2005.03.01
申请号
TW093112543
申请日期
2004.05.04
申请人
东芝股份有限公司
发明人
南幅学;松井之辉;矢野博之
分类号
H01L21/00;H01L21/301
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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