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发明名称
驱动非挥发性动态随机存取记忆体的装置以及方法
摘要
本发明提供一种用以操作具有许多记忆体单胞,而各单胞都具备一个电容器和一个具有浮动闸极的电晶体之非挥发性动态随机存取记忆体(NVDRAM)的方法,其包含下列步骤:(A)准备用以执行DRAM操作之电源启动模式;及(B)准备用以保持储存在记忆体单胞中的资料之电源关闭模式。
申请公布号
TW200509375
申请公布日期
2005.03.01
申请号
TW092137307
申请日期
2003.12.29
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
安进弘;洪祥熏;朴荣俊;李相敦;金一旭;裴基铉
分类号
H01L27/108;G11C11/40
主分类号
H01L27/108
代理机构
代理人
何金涂;李明宜
主权项
地址
韩国
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