制造垂直构造化合物半导体装置之方法

摘要

一种制造垂直构造光电装置之方法包含在一晶质基底上制造多数垂直构造之充电装置，且然后使用一种雷射剥离程序移除基底。该方法然后制造一种金属支撑构造加以取代基底。在一观点中，制造金属支撑构构造加以取代基底之步骤包含使用电镀和无电电镀法中至少一方法加以电镀金属支撑构造之步骤。在一观点中，垂直构造为一以GaN为基准之垂直构造，品质构造包含青玉而金属支撑构造包含铜。本发明优点包含制造适于大量生产具高度可靠性及高良率之垂直构造LED。