| 主权项 |
1.一种不易产生静电之介电层的制造方法,包括: 提供一基底,其中该基底表面具有一金属层,且该 金属层中具有复数缺口; 形成一介电层,以覆盖于该金属层表面且填满该复 数缺口;以及 导入离子及/或电荷于该介电层内。 2.如申请专利范围第1项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该金属层之材质包括铜(Cu) 、铝(Al)或铜铝合金(Cu/Al alloy)。 3.如申请专利范围第1项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该缺口之线宽小于0.15m。 4.如申请专利范围第1项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中形成该介电层之前,更包括 顺应性形成一底部衬垫介电层于该金属表面与该 缺口内。 5.如申请专利范围第1项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该介电层系由高密度电浆化 学气相沉积法所形成之氧化矽或掺氟矽玻璃( fluorinated silica glass;FSG)层。 6.如申请专利范围第1项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该离子及/或电荷系藉由一 电浆处理程序而导入该介电层内。 7.如申请专利范围第6项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该电浆处理程序所采用之气 体包括氮气(N2)、氧气(O2)、一氧化二氮(N2O)、氦气 (He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)或氡(Rn)。 8.如申请专利范围第6项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该电浆处理程序时反应器内 压力为2~10torr。 9.如申请专利范围第6项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该电浆处理程序所采用之气 体的流量为300~500sccm。 10.如申请专利范围第6项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该电浆处理程序所采用之电 源功率(RF Power)为20~500W。 11.如申请专利范围第6项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该电浆处理程序所采用之偏 压功率(Bias Power)为0~500W。 12.如申请专利范围第6项所述之不易产生静电之介 电层的制造方法,其中该电浆处理程序所施行之时 间为5~60秒。 13.一种不易产生静电之介电层的制造方法,包括: 提供一基底,其中该基底表面具有一金属层,且该 金属层中具有复数缺口; 形成一介电层,以覆盖于该金属层表面且填满该复 数缺口;以及 对该介电层进行一低功率电浆处理程序,该低功率 电浆处理程序的功率(RF Power)系20~500W。 14.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该介电层系由高密度电浆 化学气相沉积法(HDPCVD)所形成的氧化矽或掺氟矽 玻璃(fluorinated silica glass;FSG)层。 15.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该低功率电浆处理程序系 导入离子及/或电荷于该介电层中,用以使该介电 层内的电荷放出(discharge)。 16.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该低功率电浆处理程序所 采用之气体包括氮气(N2)、氧气(O2)、一氧化二氮(N 2O)、氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe) 或氡(Rn)。 17.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该低功率电浆处理程序时 反应器内压力为2~10torr。 18.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该低功率电浆处理程序所 采用之气体的流量为300~500sccm。 19.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该低功率电浆处理程序所 采用之偏压功率(Bias Power)为0~500W。 20.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该低功率电浆处理程序所 施行之时间为5~60秒。 21.如申请专利范围第13项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,在该低功率电浆处理程序之后 ,更包括进行一冲洗程序(water scrubbing)。 22.一种不易产生静电之介电层的制造方法,包括: 提供一基底,其中该基底表面具有一金属层,且该 金属层中具有复数缺口; 藉由具有离子轰击之沉积法,以形成一介电层覆盖 于该金属层且填满该缺口;以及 以不具离子轰击之沉积法形成一顶部衬垫介电层 于该介电层表面。 23.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中形成该介电层之前更包括 :顺应性形成一底部衬垫介电层于该金属层表面与 该缺口内。 24.如申请专利范围第23项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该底部衬垫介电层系利用 不具离子轰击之沉积法所形成。 25.如申请专利范围第24项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该不具离子轰击之沉积法 系次大气压化学气相沉积(SACVD)、常压化学气相沉 积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、不具离子轰 击之电浆增进式化学气相沉积(PECVD without ions bombardment)或不提供离子轰击之高密度电浆化学气 相沉积(HDPCVD without ions bombardment)。 26.如申请专利范围第23项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该底部衬垫介电层之厚度 为200~400。 27.如申请专利范围第23项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该底部衬垫介电层之材质 包括氧化矽。 28.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该金属层之材质包括铜(Cu )、铝(Al)或铜铝合金(Cu/Al alloy)。 29.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该缺口之线宽大于0.15m 。 30.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该介电层系由高密度电浆 化学气相沉积法(HDPCVD)所形成的氧化矽或掺氟矽 玻璃(fluorinated silica glass;FSG)层。 31.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该介电层之厚度为3000~ 15000。 32.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该不具离子轰击之沉积法 系次大气压化学气相沉积(SACVD)、常压化学气相沉 积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、不具离子轰 击之电浆增进式化学气相沉积(PECVD Without ions bombardment)或不提供离子轰击之高密度电浆化学气 相沉积(HDPCVD Without ions bombardment)。 33.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该顶部衬垫介电层之材质 包括氧化矽。 34.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,其中该顶部衬垫介电层之厚度 为400~600。 35.如申请专利范围第22项所述之不易产生静电之 介电层的制造方法,在形成该顶部衬垫介电层之后 ,更包括进行一冲洗程序(water scrubbing)。 36.一种不易产生静电之介电层,包括: 一基底: 一金属层,设置于该基底表面且具有复数缺口;以 及 一介电层,覆盖于该金属层且填满该缺口,其中该 介电层系被一电浆处理程序处理过。 37.如申请专利范围第36项所述之不易产生静电之 介电层,其中在该金属层与该介电层之间更包括形 成有一底部衬垫介电层。 38.如申请专利范围第37项所述之不易产生静电之 介电层,其中该底部衬垫介电层之厚度为200~400 。 39.如申请专利范围第37项所述之不易产生静电之 介电层,其中该底部衬垫介电层之材质包括氧化矽 。 40.如申请专利范围第36项所述之不易产生静电之 介电层,其中该金属层之材质包括铜(Cu)、铝(Al)或 铜铝合金(Cu/Al alloy)。 41.如申请专利范围第36项所述之不易产生静电之 介电层,其中该缺口之线宽大于0.15m。 42.如申请专利范围第36项所述之不易产生静电之 介电层,其中该介电层之材质包括氧化矽或掺氟矽 玻璃(fluorinated silica glass;FSG)。 43.如申请专利范围第36项所述之不易产生静电之 介电层,其中该介电层之厚度为3000~15000。 44.如申请专利范围第36项所述之不易产生静电之 介电层,其中该电浆处理程序所采用之气体包括氮 气(N2)、氧气(O2)、一氧化二氮(N2O)、氦气(He)、氖 气(Ne)、氩气(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)或氡(Rn)。 45.如申请专利范围第44项所述之不易产生静电之 介电层,其中该电浆处理程序的电源功率(RF Power) 系20~500W。 46.一种不易产生静电之介电层,包括: 一基底; 一金属层,设置于该基底表面,且具有复数缺口; 一介电层,覆盖于该金属层且填满该缺口;以及 一顶部衬垫介电层,形成于该介电层表面,其中该 顶部衬垫介电层系藉由不具离子轰击之沉积法所 形成。 47.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该介电层与该金属层之间更包括:一 底部衬垫介电层,顺应性形成于该金属层表面与该 缺口内。 48.如申请专利范围第47项所述之不易产生静电之 介电层,其中该底部衬垫介电层系利用不具离子轰 击之沉积法所形成。 49.如申请专利范围第48项所述之不易产生静电之 介电层,其中该不具离子轰击之沉积法系次大气压 化学气相沉积(SACVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、 低压化学气相沉积(LPCVD)、不具离子轰击之电浆增 进式化学气相沉积(PECVD without ions bombardment)和不 具离子轰击之高密度电浆化学气相沉积(HDPCVD without ions bombardment)。 50.如申请专利范围第47项所述之不易产生静电之 介电层,其中该底部衬垫介电层之厚度为200~400 。 51.如申请专利范围第47项所述之不易产生静电之 介电层,其中该底部衬垫介电层之材质包括氧化矽 。 52.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该金属层之材质包括铜(Cu)、铝(Al)或 铜铝合金(Cu/Al alloy)。 53.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该缺口之线宽大于0.15m。 54.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该介电层系利用高密度电浆化学气相 沉积法所形成的氧化矽或掺氟矽玻璃(fluorinated silica glass;FSG)层。 55.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该介电层之厚度为3000~15000。 56.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该不具离子轰击之沉积法系次大气压 化学气相沉积、常压化学气相沉积、低压化学气 相沉积、不具离子轰击之电浆增进式化学气相沉 积或不具离子轰击之高密度电浆化学气相沉积。 57.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该顶部衬垫介电层之材质包括氧化矽 。 58.如申请专利范围第46项所述之不易产生静电之 介电层,其中该顶部衬垫介电层为400~600。 图式简单说明: 第1图系显示习知技术之金属挤出于介电层表面之 缺点示意图; 第2A图至第2D图系显示根据本发明之不易产生静电 之介电层的制作方法之一较佳实施例之制程剖面 图;以及 第3A图至第3D图系显示根据本发明之不易产生静电 之介电层的制作方法之另一较佳实施例之制程剖 面图。 |
