发明名称 图像显示装置、有机电激发光元件及图像显示装置之制造方法
摘要 本发明之课题系在于实现一种图像显示装置,该图像显示装置在连接配设于异层上之有机电激发光(EL)元件与发光控制电路的配线构造具有良好电传导性。其解决手段系在基板上配设有构成发光控制电路的薄膜电晶体2、3及导电层4、5等。在基板1、薄膜电晶体2、3及导电层4、5上配设有于导电层5之局部区域上具备孔构造的平坦化层6。又,在平坦化层6之局部区域上配设有机电激发光元件13,同时沿着设于平坦化层6上的孔构造配设接触部14。接触部14系具有依序层叠连接辅助层8、类钻碳薄膜10、阴极配线层12b的构造,用以防止连接辅助层8与阴极配线层12b直接接触,且即使在浸入微量之氧、水分等的情况亦可抑制阴极配线层12b之氧化、腐蚀受促进的情形。
申请公布号 TWI228829 申请公布日期 2005.03.01
申请号 TW092126484 申请日期 2003.09.25
申请人 奇美电子股份有限公司;京瓷股份有限公司 KYOCERA CORPORATION 日本 发明人 村隆俊;田中淳;村山浩二
分类号 H01L29/78;H05B33/00 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种图像显示装置,其系具备: 发光控制电路,其至少局部配设在基板上; 绝缘层,配设于上述基板及上述发光控制电路上; 及 发光元件,配设于该绝缘层上,且具有阴极配线层 及阳极配线层;其特征为包含有: 第一导电层,由与上述阳极配线层相同的导电材料 所形成; 第二导电层,其与上述阴极配线层电连接,而由与 上述阴极配线层相同的导电材料所形成;及 第一类钻碳薄膜,配设于上述第一导电层与上述第 二导电层之间;而且, 其具备将上述发光控制电路与上述发光元件作电 连接的接触配线构造。 2.如申请专利范围第1项之图像显示装置,其中上述 发光元件,系具备依电流注入而输出光的发光层, 且在上述发光层与上述阳极配线层之间进一步配 设有第二类钻碳薄膜。 3.如申请专利范围第2项之图像显示装置,其中上述 第一及第二类钻碳薄膜,系含有氟。 4.如申请专利范围第2或3项之图像显示装置,其中 上述阳极配线层及上述第一导电层,系由铝或铜所 形成。 5.如申请专利范围第1项之图像显示装置,其中,在 上述发光层与上述阴极配线层之间进一步配设有 第三类钻碳薄膜。 6.如申请专利范围第5项之图像显示装置,其中上述 阴极配线层及上述阳极配线层,系由具有大致相等 之工作函数的金属材料所形成。 7.如申请专利范围第5或6项之图像显示装置,其中 上述阴极配线层及上述阳极配线层,系由相同的导 电材料所形成。 8.如申请专利范围第7项之图像显示装置,其中上述 阴极配线层及上述阳极配线层,系由铝或铜所形成 。 9.如申请专利范围第1项之图像显示装置,其中上述 发光控制电路系包含有: 扫描线,供给扫描信号; 信号线,供给显示信号; 电源线,对上述有机电激发光元件供给电流; 驱动元件,控制供至上述有机电激发光元件之电流 ;及 开关元件,根据所供给之上述扫描信号及上述显示 信号而控制上述驱动元件;而且, 上述接触配线构造,系电连接在上述驱动元件上。 10.一种有机电激发光元件,其系具备依电流注入而 发光的有机材料者,其特征为包含有: 发光层,由上述有机材料所形成; 阳极电极,其相对于上述发光层而配设于阳极侧; 阴极电极,其相对于上述发光层而配设于阴极侧; 及 类钻碳薄膜,配设于上述发光层与上述阳极电极之 间,用以对上述发光层供给电洞。 11.如申请专利范围第10项之有机电激发光元件,其 更具备有配设于上述发光层与阴极电极之间,用以 对上述发光层供给电子的类钻碳薄膜。 12.如申请专利范围第11项之有机电激发光元件,其 中上述阴极电极及上述阳极电极,系由铝或铜所形 成。 13.一种图像显示装置之制造方法,其特征为包含有 : 电路形成步骤,在基板上形成发光控制电路; 平坦化层形成步骤,在上述基板及上述发光控制电 路上形成平坦化层; 阳极沉积步骤,在上述平坦化层上之局部区域上沉 积阳极配线层,在上述平坦化层上之其他区域上沉 积第一导电层; 第一类钻碳沉积步骤,分别在上述第一导电层上沉 积第一类钻碳薄膜,在上述阳极配线层上沉积第二 类钻碳薄膜; 发光层沉积步骤,在上述第二类钻碳薄膜上沉积发 光层;及 阴极沉积步骤,沉积阴极配线层俾使上述发光层与 上述第一类钻碳薄膜导通。 14.如申请专利范围第13项之图像显示装置之制造 方法,其中,在上述阳极沉积步骤及上述第一类钻 碳沉积步骤中,于上述平坦化层上依序沉积导电材 料及类钻碳之后,使用单一罩幕图案并藉由蚀刻以 形成上述阳极配线层、上述第一导电层、上述第 一及第二类钻碳薄膜。 15.如申请专利范围第13或14项之图像显示装置之制 造方法,其更包含有在上述阴极配线层之下层沉积 第三类钻碳薄膜的第二类钻碳沉积步骤。 16.如申请专利范围第15项之图像显示装置之制造 方法,其中,在上述第二类钻碳沉积步骤及上述阴 极沉积步骤中,依序沉积类钻碳及导电材料之后, 使用单一罩幕图案并藉由蚀刻以形成上述第三类 钻碳薄膜及上述阴极配线层。 17.如申请专利范围第16项之图像显示装置之制造 方法,其中上述第二类钻碳沉积步骤及上述阴极沉 积步骤,系在比形成上述发光层之有机材料的玻璃 转移温度更低的温度下进行者。 图式简单说明: 图1系显示第一实施例之图像显示装置之局部构造 的剖面图。 图2系比较类钻碳之工作函数的变动范围与一般的 金属之工作函数的图表。 图3系比较类钻碳与习知阳极电极之材料及电洞注 入层之离子化电位的图表。 图4系说明第一实施例之图像显示装置之具体配线 构造的等效电路图。 图5(a)~(c)系第一实施例之图像显示装置之制程的 示意图。 图6(a)~(c)系第一实施例之图像显示装置之制程的 示意图。 图7系显示第二实施例之图像显示装置之局部构造 的剖面图。 图8系显示第三实施例之图像显示装置之局部构造 的剖面图。 图9系显示先前技术之图像显示装置之局部构造的 剖面图。
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