发明名称 药液处理装置及其药液处理方法
摘要 本发明是有关在药液膜上方形成气流,此气流系藉由接触到药液表面状态而产生药液之流动,又,藉由整流板之旋转,使被处理基板与整流板间所夹的空间产生负压状态,而产生气流;如此,能提高药液之加工均一性,又,可以有效进行洗净乾燥步骤,其结果是,于药液处理中可以寄望提高收率。
申请公布号 TWI228755 申请公布日期 2005.03.01
申请号 TW090103589 申请日期 2001.02.16
申请人 东芝股份有限公司 发明人 伊藤信一;高桥理一郎;江间 达彦;奥村 胜弥
分类号 H01L21/027;G03F7/30;H01L21/306 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种药液处理装置,其是使用药液处理基板者,具 备有: 基板支持部,用以设置固定基板; 药液吐出喷嘴,配置在该基板支持部之上部,供应 药液到设置固定在基板支持部之基板上,使在基 板上形成药液膜;与 气体供应部,形成与该药液膜表面接触之气流,在 持续保持药液膜于该基板上之状态下在药液膜表 面形成药液流。 2.一种药液处理装置,其是使用药液处理基板者,具 备有: 基板支持部,用以设置固定基板; 整流板,配置在该基板支持部之上部,有上下方向 贯通之吸气孔; 气流控制壁,设置成围绕该基板支持部周围,用以 防止基板支持部周围之包围气体被吸入;与 旋转机构,令该整流板旋转; 其中: 该基板支持部之侧面被赋与外环状之斜度, 该气流控制壁之上面,相对该基板支持部侧面之斜 坡设置大致平行之斜坡, 藉由该整流板之旋转,整流板与设置固定在基板 支持部之基板间发生负压状态,自上述吸气孔吸气 ,则该基板与该整流板间产生气流。 3.一种药液处理方法,其是使用药液处理基板者,所 具备之步骤包含有: 药液膜形成步骤,在被加工膜所形成之被处理基板 上,供应加工该被加工膜之药液,使在该被加工膜 上形成药液膜;与 药液流形成步骤,在形成该药液膜步骤后,形成与 该药液膜表面接触之气流,在该被处理基板上保持 该药液膜下,在该药液膜表面形成药液流。 4.如申请专利范围第3项之药液处理方法,其中该气 流是自配置在该被处理基板外围部周边之气体供 应部,将气流形成用气体供应到该被处理基板上方 而形成者。 5.如申请专利范围第4项之药液处理方法,其中该气 流形成用气体是惰性气体。 6.如申请专利范围第5项之药液处理方法,其中该气 流形成用气体是含有臭氧、氧气或氢气中之任一 气体者。 7.如申请专利范围第3项之药液处理方法,其中该气 流是藉由旋转配置在该被处理基板上方之整流板 而形成者。 8.如申请专利范围第7项之药液处理方法,其中该整 流板之形状有圆板状、环状或羽毛状之任一种者 。 9.如申请专利范围第3项之药液处理方法,其中在该 药液流之形成步骤是在脱二氧化碳包围气雰下进 行。 10.如申请专利范围第3项之药液处理方法,其中在 该药液流之形成步骤中,系旋转该被处理基板者。 11.如申请专利范围第10项之药液处理方法,其中该 被处理基板之旋转,可为连续的或是断续的。 12.如申请专利范围第11项之药液处理方法,其中该 被处理基板之旋转方向是顺着该气流之方向者。 13.一种药液处理方法,其是除去基板上预先供应之 液体,其具备之步骤包含有: 将上述基板固定静止在水平基板支持部上之步 骤; 在该基板上旋转有吸气孔的整流板之步骤; 藉由旋转整流板使在整流板与被处理基板间产生 负压状态之步骤;与 由该负压状态之产生,自该吸气孔吸气,使该被处 理基板与该整流板间产生气流之步骤。 14.如申请专利范围第13项之药液处理方法,其中产 生负压状态之步骤中,系将该整流板之旋转速度或 加速度、及该基板与该整流板间之距离至少一方 变化以控制该负压状态。 15.如申请专利范围第14项之药液处理方法,其中该 负压状态之控制是因应该基板上之液体量而变化 。 16.如申请专利范围第13项之药液处理方法,其中在 整流板旋转中,变化在该整流板中央部之吸气孔开 口径。 17.如申请专利范围第13项之药液处理方法,其中旋 转整流板之步骤是在整流板与液体间有空隙存在 之状态下进行。 18.如申请专利范围第13项之药液处理方法,其中旋 转整流板之步骤中更包含有: 自该基板上空向下方移动该整流板,使接触基板上 液体之步骤;与 于该整流板上接触液体状态下,旋转整流板之步骤 。 19.如申请专利范围第18项之药液处理方法,其中在 该整流板上接触该液体之步骤中,对该液体推压该 整流板,以使该基板与该整流板间之空气层消失。 20.如申请专利范围第19项之药液处理方法,其中该 整流板是使用与该液体接触之表面经亲水处理,或 是由显示源自毛细管现象之吸引效果之多孔质加 工者。 21.如申请专利范围第19项之药液处理方法,其中该 整流板是用与液体接触之表面经拨水性处理过者 。 22.如申请专利范围第13项之药液处理方法,其中该 基板之外围部中,自基板外向基板中心方向,系藉 由产生自基板支持部之下方朝外侧上方之气流而 打消。 23.一种药液处理方法,其特征是其具备有: 药液膜形成步骤,在形成被加工膜之被处理基板上 ,供应加工此被加工膜之药液,在被加工膜上形成 药液膜; 形成药液流之步骤,形成该药液膜步骤后,形成与 药液膜表面接触之气流,在被处理基板上保持药液 膜下,藉由使用设置于被处理基板上之中央吸气孔 部付有开闭机构之整流板,在药液膜表面形成药液 流;和 除去液体之步骤,该液体系在被处理基板上所形成 者; 在该被处理基板上,除去所形成液体之步骤,至少 包含在被处理基板上,旋转该整流板之步骤,及藉 由旋转整流板,使整流板与被处理基板间产生负压 状态之步骤,以及藉由发生负压状态而自吸气孔吸 气,使整流板与被处理基板间生成气流之步骤。 图式简单说明: 图1是本发明实施形态中相关药液处理方法之流程 图。 图2是为了说明本发明实施形态中相关药液处理方 法之模式图。 图3是为了说明本发明实施形态中相关药液处理方 法之模式图。 图4是为了说明本发明实施形态中相关药液处理步 骤之模式图。 图5是本发明实施形态中相关气体供应部之构成模 式图。 图6是本发明实施形态中相关气体供应部之气体供 应口构成模式图。 图7是本发明其它实施形态中相关药液吐出喷嘴构 成模式图。 图8是本发明其它实施形态中相关药液吐出喷嘴构 成模式图。 图9是为了说明本发明其它实施形态中相关药液处 理步骤之模式图。 图10是为了说明本发明其它实施形态中相关药液 处理步骤之模式图。 图11是为了说明本发明其它实施形态中相关药液 处理步骤之模式图。 图12是本发明其它实施形态中相关整流板之构成 模式图。 图13是本发明其它实施形态中相关整流板之构成 模式图。 图14是本发明实施形态中相关液体除去步骤中所 用装置之构成模式图。 图15是为了说明本发明实施形态中相关液体除去 步骤之构成模式图。 图16是旋转初期整流板模式图。 图17是整流板定速旋转状态之模式图。 图18是为了说明乾燥时气流状态之模式图。 图19是为了说明由以往乾燥方法之光阻剂图型倒 塌之模式图。 图20是为了说明本发明实施形态之相关乾燥方法 中光阻图样间之液体所出之力图。 图21是为了说明本发明其它实施形态之相关乾燥 方法中,光阻图样间液体所出之力图。
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