发明名称 封装件
摘要 一种封装件,包括基板及晶片。基板至少包括金属层、防焊层及金属氧化层,金属氧化层系藉由黑氧化法进行部分之金属层之表面处理而形成于部分之金属层之表面上。防焊层系形成于金属层上并具有一开口,而开口系暴露出金属氧化层。晶片系配置于开口中并黏着于金属氧化层上,晶片系与基板电性连接。其中,晶片所产生之热量可以直接经由金属层逸散至外界,达到良好之散热效果。
申请公布号 TWI228301 申请公布日期 2005.02.21
申请号 TW092109270 申请日期 2003.04.21
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 张德忠
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 1.一种封装件,包括:一基板,包括:一金属层;一金属氧化层,系形成于部分之该金属层之表面上;及一防焊层,系形成于该金属层上,而该防焊层具有一开口,且该开口系暴露出该金属氧化层;以及一晶片,系配置于该开口中,并黏着于该金属氧化层上,该晶片系与该基板电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之封装件,又包括:一封胶,包覆该晶片及部份之该基板。3.如申请专利范围第1项所述之封装件,其中该金属氧化层之表面积系大于或等于该开口之大小。4.如申请专利范围第1项所述之封装件,其中该开口之大小系大于或等于该晶片之底面积。5.如申请专利范围第1项所述之封装件,其中该金属氧化层系藉由黑氧化法进行部分之该金属层之表面处理而完成。6.如申请专利范围第1项所述之封装件,其中该金属层之材质为铜。7.如申请专利范围第6项所述之封装件,其中该金属氧化层之材质为氧化铜。8.如申请专利范围第1项所述之封装件,其中该晶片藉由一黏着层配置于该金属氧化层上。9.如申请专利范围第8项所述之封装件,其中该黏着层之材质为环氧树脂(epoxy)。10.一种基板,包括:一金属层;一金属氧化层,系形成于部分之该金属层之表面上;以及一防焊层,系形成于该金属层上,该防焊层具有一开口,该开口系暴露出该金属氧化层,其中,该开口用以置入一晶片,使得该晶片黏着于该金属氧化层上,且该晶片系与该基板电性连接。11.如申请专利范围第10项所述之基板,其中该金属氧化层系藉由黑氧化法进行部分之该金属层之表面处理而完成。12.如申请专利范围第10项所述之基板,其中该金属层之材质为铜。13.如申请专利范围第12项所述之基板,其中该金属氧化层之材质为氧化铜。14.如申请专利范围第10项所述之基板,其中该晶片藉由一黏着层配置于该金属氧化层上。15.如申请专利范围第14项所述之基板,其中该黏着层之材质为环氧树脂。16.一种封装件,包括:一基板,包括:一金属层;一金属氧化层,系藉由黑氧化法进行部分之该金属层之表面处理而形成于部分之该金属层之表面上;及一防焊层,系形成于该金属层上,该防焊层具有一开口,该开口系暴露出该金属氧化层;一晶片,系配置于该开口中,并藉由一黏着层配置于该金属氧化层上,该晶片藉由复数个焊线与该基板电性连接;以及一封胶,包覆该晶片、该些焊线与部分之该基板。17.如申请专利范围第16项所述之封装件,其中该黏着层之材质为环氧树脂。18.如申请专利范围第16项所述之封装件,其中该金属层之材质为铜。19.如申请专利范围第18项所述之封装件,其中该金属氧化层之材质为氧化铜。20.如申请专利范围第16项所述之封装件,其中该开口之大小系大于或等于该晶片之底面积。图式简单说明:第1图绘示乃传统之封装件的剖面图。第2图绘示乃传统之另一封装件的剖面图。第3图绘示乃依照本发明之较佳实施例之封装件的剖面图。
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路26号