微影检测图样及其方法

摘要

一种微影制程之检测(monitor)样版图样(pattern)与方法，本发明系利用一套线状样版图样与一套方格状样版图样，提供浅沟渠隔离结构区与氧化定义区(Oxide define，OD)经微影制程之快速检测方法。由于浅沟渠隔离结构的深度，会影响后续微影制程中光阻层的感光效果，对于产品元件关键图形尺寸的影响很深。藉由本发明提供之检测样版图样，可于微影制程后快速地被标定，并进行各项检测，如线宽、线距、线条末端短缺或岛状图形定义等图形定义，由于样版图样关键图形尺寸比照产品元件的要求，因此可以指标性地代表原产品元件，反映出微影制程的效果。进一步的，可以利用本发明之样版图样搭配各种已知深度之浅沟渠隔离结构，实验统计出一关键图形尺寸随浅沟渠隔离结构深度变化之对应学曲线图。利用此学曲线图，可以于制程中藉由量取关键图形尺寸而即时获得浅沟渠隔离结构的深度，进而提供后续微影制程控制变因之微调依据。

主权项

1.一种微影制程之检测方法,该方法至少包含下列步骤:在晶圆上定义出至少一块检视区域;每一块该至少一块检视区域,至少形成一浅沟渠隔离结构区与一氧化定义区;提供一套线状样版图样,其线宽、线距系依据该微影制程之最小设计规格线宽、线距;提供一套方格状样版图样,其方格尺寸系依据该微影制程之最小设计规格之方格尺寸;将该套线状样版图样与该套方格状样版图样随同该微影制程之光罩图样一并曝光、显影至晶圆上,使得该些样版图样落在每一块该至少一块检视区域上,跨越该浅沟渠隔离结构区与该氧化定义区;检测该氧化定义区内的一第一关键图形尺寸,以确定微影设备保持正常稳定;检测该浅沟渠隔离结构区内的一第二关键图形尺寸,以确定该微影制程受浅沟渠隔离结构影响后,其微影效果符合要求。2.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,其中该至少一块检视区域,至少包含设计、安排于该晶圆上之切割区。3.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,其中该浅沟渠隔离结构区与该氧化定义区,系随同该晶圆上元件制造制程所形成。4.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,其中该套线状样版图样,每一条线的线宽、线距与位置配置,系依据该微影制程之产品元件之关键图形尺寸要求而决定。5.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,其中该套方格状样版图样与位置配置,系依据该微影制程之产品元件之关键图形尺寸要求而决定。6.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,其中该套线状样版图样之末端,系ㄇ型直角末端。7.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,其中该第一关键图形尺寸与第二关键图形尺寸之检测标准,系决定于该微影制程之产品元件要求。8.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,其中该微影制程设备是否保持正常稳定,系经由该第一关键图形尺寸,与前制程检测结果相互比较得知。9.如申请专利范围第1项所述之微影制程之检测方法,更进一步包括一前馈控制方法,其利用复数个已知但深度不同之浅沟渠隔离结构,实际进行上述微影制程之检测,最后所测得之复数个关键图形尺寸将随着该些浅沟渠隔离结构不同的深度而测得变化;以该些浅沟渠隔离结构已知之深度与其微影制程后分别测得之关键图形尺寸对应,绘制成一学习曲线图,拥有该学习曲线图,往后即可于每次的制程中,藉由该关键图形尺寸的测量,而于该学习曲线图上对应出该浅沟渠隔离结构的一深度,此深度进一步即可提供其后续微影制程变因微调之控制依据。10.如申请专利范围第9项所述之微影制程之检测方法,即可持该第二关键图形尺寸,于该学习曲线图上对应出该沟渠隔离结构区内浅沟渠隔离结构的深度。11.如申请专利范围第9项所述之微影制程之检测方法,其中依据该深度微调其后续微影制程之控制变因,至少包含微调曝光能量。12.一种微影制程之检测样版图样,该图样至少包含:一浅沟渠隔离结构区与一氧化定义区;一套线状样版图样横跨该浅沟渠隔离结构区与该氧化定义区,其线宽与线距系依据该微影制程之最小设计规格决定;及一套方格状样版图样横跨该浅沟渠隔离结构区与该氧化定义区,其方格尺寸系依据该微影制程之最小设计规格之方格尺寸决定。13.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中该浅沟渠隔离结构区内的图样,需微影成像于晶圆上浅沟渠隔离结构上。14.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中该氧化定义区内的图样,需微影成像于晶圆上氧化定义区上。15.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中该套线状样版图样与该套方格状样版图样随同该微影制程之光罩图样一并曝光、显影至晶圆上,使得该些样版图样同时落在该浅沟渠隔离结构区与该氧化定义区上。16.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中该套线状样版图样,每一条线的线宽、线距与位置配置,系依据该微影制程之产品元件之关键图形尺寸要求而决定。17.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中该套方格状样版图样与位置配置,系依据该微影制程之产品元件之关键图形尺寸要求而决定。18.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中该套线状样版图样之末端,系ㄇ型直角末端。19.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中检测该氧化定义区内的关键图形尺寸,可以决定微影设备是否保持正常稳定。20.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其中检测该浅沟渠隔离结构区内的关键图形尺寸,可以决定该微影制程受浅沟渠隔离结构影响后,其微影效果是否符合要求。21.如申请专利范围第12项所述之微影制程之检测样版图样,其可以搭配各种已知但深度不同之浅沟渠隔离结构,实际进行微影制程后,统计其关键图形尺寸随着浅沟渠隔离结构深度变化的对应图,利用此学习曲线,可以于制程中藉由关键图形尺寸的测量,求得浅沟渠隔离结构的实际深度,进一步提供后续微影制程控制变因微调的依据。22.如申请专利范围第21项所述之微影制程之检测样版图样,其中该后续微影制程控制变因,至少包含曝光能量的微调。图式简单说明:第1图与第2图系绘示习知制造浅沟渠隔离结构之剖面示意流程图;及第3图系绘示本发明微影制程检测方法之样版图样示意图。