发明名称 管理系统,管理方法和装置,和管理装置控制方法
摘要 管理多数半导体曝光设备之一系统保持代表各别半导体曝光设备特性之TIS资讯。在一半导体曝光设备中,根据使用一设定参数值和另一参数值所得到之AGA测量结果以及实行上变更参数值所得到之AGA测量估算结果,使一参数值达最佳化。根据TIS资讯,决定是否使最佳化参数值反映在另一工业装置中。如决定要反映最佳化参数值,则以该最佳化参数值使另一半导体曝光设备之参数值达最佳化。依此方式,可使一指定工业装置一参数值之佳化结果适当地反映在另一工业装置中,实现有效率之参数值设定。
申请公布号 TWI228266 申请公布日期 2005.02.21
申请号 TW092109620 申请日期 2003.04.24
申请人 佳能股份有限公司 发明人 千德孝一;稻秀树;铃木武彦;松本隆宏;大石哲
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种管理多数曝光装置之管理系统,该系统包含:多数曝光装置,该装置是连接至一网路;以及反映装置,该装置用于反映在至少一剩余用于执行曝光操作之曝光装置中,该多数曝光装置之其中一曝光装置之关于曝光操作之参数値变更。2.如申请专利范围第1项之系统,其中,该反映装置反映根据该数曝光装置之特性资讯所选取之剩余曝光装置中,该曝光装置之参数値变更。3.如申请专利范围第1项之系统,其中,该反映装置根据该多数曝光装置之特性资讯片段加以变更在变更该曝光装置一参数后所得到之一値,并反映剩余曝光装置中之变更値。4.如申请专利范围第1项之系统,更包含:保持装置,该装置是用于保持代表各该多数曝光装置特性之特性资讯;最佳化装置,该装置是用于使该多数曝光装置之其中一曝光装置之一参数値达最佳化;以及决定装置,该装置根据特性资讯加以决定由各该多数曝光装置之该最佳化装置所达成最佳化之参数値之反映方式,其中,该反映装置根据该决定装置所决定之反映方式,以最佳化参数値使剩余曝光装置之一参数値达最佳化。5.如申请专利范围第4项之系统,其中,该最佳化装置根据具有一设定参数之该曝光装置操作结果,具有一设定参数以外参数値之该曝光装置操作结果,及/或估算结果,使该曝光装置之参数値达最佳化。6.如申请专利范围第4项之系统,其中,该保持装置包含一保持各曝光装置特性资讯之资料库。7.如申请专利范围第2项之系统,其中,该特性资讯与一对位检测系统之光学特性有关。8.如申请专利范围第7项之系统,其中该特性资讯包含至少音差,球面像差,像散性,影像色移,和远心率之一。9.如申请专利范围第4项之系统,其中,该决定装置根据特性资讯加以决定是否使最佳化参数値反映在各剩余曝光装置中。10.如申请专利范围第4项之系统,其中特性资讯与一对位检测系统之光学特性有关并包含音差作为一段特性资讯;以及该决定装置决定使最佳化参数値反映在曝光装置中,该曝光装置之音差値不小于其参数値是由该最佳化装置所达成最佳化之该曝光装置之音差値。11.如申请专利范围第4项之系统,其中,该决定装置根据特性资讯加以变更最佳化参数値,并决定一要反映在各剩余曝光装置中之一参数値。12.如申请专利范围第11项之系统,其中,该决定装置以一系数乘以最佳化参数値加以变更参数値,该系数是根据该一曝光装置和剩余曝光装置间之特性资讯关系加以决定的。13.如申请专利范围第4项之系统,其中,该最佳化装置在生产期间,以该曝光装置,使一参数达最佳化。14.一种管理连接至一网路之多数曝光装置之管理方法,该方法包含:一变更步骤,该步骤变更多数曝光装置之其中一装置之相关于曝光操作之参数値;以及一反映步骤,该步骤反映至少一剩余执行曝光操作之曝光装置中,变更步骤之变更。15.如申请专利范围第14项方法,其中该反映步骤根据多数曝光装置之特性资讯,在所选择剩余曝光装置中,反映该曝光装置参数値变更。16.如申请专利范围第15项之方法,其中,该特性资讯与一对位检测系统之光学特性有关。17.一种管理多数曝光装置之管理设备,该管理设备包含:连结装置,该装置是用于经由一网路,连接多数曝光装置;以及反映装置,该装置用于反映在至少一剩余执行曝光操作之曝光装置中,多数曝光装置之其中一曝光装置之关于曝光操作之参数値变更。18.一种管理连接至一网路之多数曝光装置之管理设备之控制方法,包含:一变更步骤,该步骤变更多数曝光装置之其中一装置之关于曝光操作之参数値;以及一反映步骤,该步骤经由网路,在至少一剩余执行曝光操作之曝光装置中,反映变更步骤中多数曝光装置之其中一曝光装置之参数値变更。19.一种电脑可读取记录媒体,该记录媒体储存一控制程式,使一电脑执行一控制方法,该控制方法包含:一变更步骤,该步骤变更多数曝光装置之其中一装置之关于曝光操作之参数値;以及一反映步骤,该步骤经由网路,在至少一剩余执行曝光操作之曝光装置中,反映变更步骤中多数曝光装置之其中一曝光装置之参数値变更。20.一种半导体装置之制造方法,该半导体装置由连接至一网路由一管理系统所管理之多数曝光装置之一制造,该管理系包含反映装置,该装置用于反映在至少一剩余用于执行曝光操作之曝光装置中,该多数曝光装置之其中一曝光装置之一关于曝光操作之参数値变更。图式简单说明:第1图为一表示根据第一实施例一整体曝光管理系统之示意管理图;第2图为一用于说明处理决定根据第一实施例之半导体制造系统中,一最佳参数値并决定是否反映该参数値之流程图;第3图为一表示半导体曝光设备之TT2对位光学系统图;第4图为一表示半导体曝光设备之设备相关资讯(TIS资讯)表;第5图为一表示处理决定另一半导体曝光设备中一最佳参数値并决定如何反映该参数値之流程图;第6图为一用于说明一装置制程之制程图;第7图为一用于说明一晶圆制程之制程图;第8图为一用于说明受到根据本发明第一实施例之工业装置管理之一半导体曝光设备之整体布置图;第9图为一表示一对位单元617主要建构组件之方块图;第10A图为一对位记号14之表示图。第10B图为一表示对位记号14切面结构之切面图;第11图为一对位讯号之表示图。第12A图为一表示晶圆15上一AGA试样照配置之示意图。第12B图为一表示记号元件32之示意平面图;以及第12C图为一表示第11图中部份对位讯号之放大图。
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