| 主权项 |
1.一种用于其上具有非需求材料之半导体晶圆表面的清洁方法,包括以下之步骤:在该半导体晶圆表面上实施一化学机械抛光,因此在该半导体晶圆表面上生成复数个污染物微粒;藉涂布一液体至该半导体晶圆表面而使该复数个污染物微粒悬浮于其中来实施一擦洗,及移除大多数该液体及悬浮于其中之该等污染物微粒;移除大多数该余留液体及悬浮于其中之该等微粒,使得仅具有小于20埃之一厚度且具有悬浮于其中之该等污染物微粒的一液体残渣层仍保留在大多数该晶圆表面上;及藉能量来照射该液体残渣层以移除该余留残渣层。2.如申请专利范围第1项之用于半导体晶圆表面之雷射清洁方法,其中该残渣层厚度系小于10埃。3.如申请专利范围第2项之用于半导体晶圆表面之雷射清洁方法,其中该残渣层系吸附于该半导体晶圆表面上且使该等污染物微粒以化学方法吸附于其中的一单分子层。4.一种用于其上具有非需求材料之半导体晶圆表面的清洁方法,包括以下之步骤:藉涂布一液体至该表面上以在该表面上实施一化学机械抛光,因此在该表面上生成复数个污染物微粒;移除具有该复数个污染物微粒以化学方法吸附于其中的大多数该液体,使得仅具有小于20埃之一厚度的一液体残渣层仍保留在该晶圆表面上;及藉能量来照射该余留液体残渣层以移除该余留残渣层。5.如申请专利范围第4项之用于半导体晶圆表面之雷射清洁方法,其中该实施一化学机械抛光之步骤包括使用可与该表面反应或与该等微粒反应之一液体的步骤。6.如申请专利范围第4项之用于半导体晶圆表面之雷射清洁方法,其中该实施一化学机械抛光之步骤包括使用不与该表面反应或不与该等微粒反应之一液体的步骤。7.如申请专利范围第4项之用于半导体晶圆表面之雷射清洁方法,其中该能量源系一光子能量源或一离子能量源。8.一种用于其上具有非需求材料之半导体晶圆表面的雷射清洁方法,包括以下之步骤:藉涂布一液体至该半导体晶圆表面上以在该表面上实施一化学机械抛光,因此生成以化学方法吸附于该液体内的复数个污染物微粒;藉由在水平平面中旋转该晶圆以移除大多数该液体,使得仅有吸附于该表面上之以一单分子层为特征,且具有以化学方法吸附于其中之该复数个污染物微粒的一液体残渣层仍保留在整个该晶圆表面上;及藉来自雷射之光子能量照射该余留液体残渣层以移除该液体余留残渣层及该等污染物微粒。9.如申请专利范围第8项之用于其上具有非需求材料之半导体晶圆表面的雷射清洁方法,其步骤尚包括在藉旋转移除大多数该液体之前,实施一擦洗、及移除大多数该液体与该等微粒之步骤。10.一种用于其上具有非需求材料之基板表面的雷射清洁方法,其步骤包括:在该基板表面上实施一化学机械抛光,因此在基板表面上生成复数个污染物微粒;藉涂布一液体至该基板表面而使该复数个污染物微位悬浮于其中来实施一擦洗,及移除大多数该液体及悬浮于其中之该等污染物微粒;移除大多数该余留液体及悬浮于其中之该等微粒,使得仅具有小于10埃之一厚度且具有悬浮于其中之该等污染物微粒的一液体残渣层仍保留在大多数该晶圆表面上;及藉来自雷射之光子能量照射该液体残渣层以移除该余留残渣层。图式简单说明:图1系概略显示用于晶圆抛光及清洁之一先前技艺半导体生产线制程;图2系概略显示依据本发明之用于基板抛光及清洁的一生产线制程;图3系概略显示依据本发明之用于基板抛光及清洁的一生产线制程;图4系概略显示依据本发明之用于晶圆抛光及清洁的一半导体生产线制程;及图5系显示依据本发明之一制程中之一般步骤的简化流程图。 |
