| 主权项 |
1.一种形成导电栓柱之方法,其步骤包含:提供一基材;形成一第一导电层于该基材上;形成一绝缘层于该第一导电层上;以喷液法喷印一之溶液于该绝缘层之上表面,该溶液具有一溶剂与一导电材料,由该溶剂蚀刻该绝缘层形成穿孔;去除该溶剂,由该导电材料沉积形成一导电栓柱;及形成一第二导电层于该绝缘层与该导电栓柱之上,由该导电栓柱形成该第一导电层与该第二导电层之电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之形成导电栓柱之方法,其中该绝缘层为一有机绝缘层。3.如申请专利范围第2项所述之形成导电栓柱之方法,其中该有机绝缘层系被覆(coat)一有机溶液于该第一导电层上,由该有机溶液所包含有机固体材料所形成。4.如申请专利范围第1项所述之形成导电栓柱之方法,其中该绝缘层之电阻率为该第一导电层之电阻率的10倍以上。5.如申请专利范围第1项所述之形成导电栓柱之方法,其中该导电材料系由直径不超过5微米的导电微粒混合而成。6.如申请专利范围第1项所述之形成导电栓柱之方法,其中在喷印该溶液于该绝缘层之上表面的步骤后,更包含一加热烘烤该溶液步骤,使该溶液固化形成该导电栓柱。7.如申请专利范围第6项所述之形成导电栓柱之方法,其中该导电栓柱系由该导电材料与该绝缘层溶解后再固化材料所形成。8.如申请专利范围第7项所述之形成导电栓柱之方法,其中该绝缘层之电阻率为该导电栓柱之电阻率的10倍以上。9.一种形成导电栓柱之方法,其步骤包含:提供一基材;形成一闸极于该基材上;形成一绝缘层于该基材与该闸极上;以喷液法喷印一之溶液于该绝缘层之上表面,该溶液具有一溶剂与一导电材料,由该溶剂蚀刻该绝缘层形成穿孔,该蚀刻终止于该闸极;去除该溶剂,由该导电材料沉积形成一导电栓柱;及形成一源极与一汲极并被覆一半导体材料于该绝缘层之上,由该导电栓柱形成该闸极与该源极及该闸极与该汲极的电性连接。10.如申请专利范围第9项所述之形成导电栓柱之方法,其中形成一闸极于该基材上的步骤后,更包含一被覆金属薄膜的步骤,以提高闸极之表面平整度。11.如申请专利范围第9项所述之形成导电栓柱之方法,其中该绝缘层为一有机绝缘层。12.如申请专利范围11项所述之形成导电栓柱之方法,其中该有机绝缘层系被覆(coat)一有机溶液于该基材与该闸极上,由该有机溶液所包含有机固体材料所形成。13.如申请专利范围第9项所述之形成导电栓柱之方法,其中该导电材料系由直径不超过5微米的导电微粒混合而成。14.如申请专利范围第9项所述之形成导电栓柱之方法,其中在喷印该溶液于该绝缘层之上表面的步骤后,更包含一加热烘烤该溶液步骤,使该溶液固化形成该导电栓柱。15.如申请专利范围第14项所述之形成导电栓柱之方法,其中该导电栓柱系由该导电材料与该绝缘层溶解后再固化材料所形组成。16.如申请专利范围第15项所述之形成导电栓柱之方法,其中该绝缘层之电阻率为该导电栓柱之电阻率的10倍以上。图式简单说明:图1至图5为本发明之以SED法制作多层导线结构之流程示意图;图6至图10为本发明之以SED法制作薄膜电晶体之流程示意图;图11为本发明之以SED法制作多层导线结构之流程图;及图12为本发明之以SED法制作薄膜电晶体之流程图。 |
