| 主权项 |
1.一种气密处理室连接管线之贯通构造,系针对一 种由连接收容在气密处理室的工件处理装置及其 附带装置的配管以及/或配线所形成的连接管线之 贯通前述气密处理室的壁体之气密处理室连接管 线之贯通构造,其特征为: 具备有:由连接管线插通到内部并且贯通前述壁体 的贯通套管; 及被充填在前述贯通套管内部且密封前述贯通套 管与连接管线之间的第一密封材; 及密封前述贯通套管与前述壁体之间的第二密封 材。 2.如申请专利范围第1项所记载之气密处理室连接 管线之贯通构造,其中,前述贯通套管,系拥有筒状 的套管本体与形成在前述套管本体的外围的凸缘 部, 且前述第二密封材,系中介设置于前述凸缘部与前 述壁部之间。 3.如申请专利范围第2项所记载之气密处理室连接 管线之贯通构造,其中,前述凸缘部,系在于中介设 置着前述第二密封材的状态下被固定在前述壁体 的外面侧。 4.如申请专利范围第1项所记载之气密处理室连接 管线之贯通构造,其中,前述连接管线,系拥有:插通 前述贯通套管并且形成比前述贯通套管稍长的短 管线;及连接在前述短管线的两端的一对接头构件 。 5.如申请专利范围第1项所记载之气密处理室连接 管线之贯通构造,其中,前述第一密封材由湿式密 封材构成,前述第二密封材由乾式密封材构成。 6.如申请专利范围第5项所记载之气密处理室连接 管线之贯通构造,其中,在于前述贯通套管的两小 口处分别套装盖构件。 7.一种气密处理室连接管线之贯通构造,系针对一 种属于贯通连接收容在气密处理室的工件处理装 置及其附带装置的配管之贯通前述气密处理室的 壁体之气密处理室连接管线之贯通构造,其特征为 : 具备:贯通前述壁体并且在内部形成流路的短管; 连接于前述短管两端的一对连接接头; 形成在前述短管的外围的凸缘; 以及中介设置在前述凸缘与前述壁面之间的密封 材。 8.一种吐出装置,其特征为:具备:气密处理室;收容 在前述气密处理室的工件处理装置;前述工件处理 装置的附带装置;连接前述工件处理装置与其附带 装置的配管以及/或配线所形成的连接管线;以及 申请专利范围第1项所记载之气密处理室连接管线 之贯通构造, 前述工件处理装置,是使导入有功能液的功能液滴 吐出头对工件基板一面进行扫描,同时选择性地吐 出功能液滴的液滴吐出装置。 9.一种吐出装置,其特征为:具备:气密处理室;收容 在前述气密处理室的工件处理装置;前述工件处理 装置的附带装置;连接前述工件处理装置与其附带 装置的配管;以及申请专利范围第7项所记载气密 处理室连接管线之贯通构造, 前述工件处理装置,是使导入有功能液的功能液滴 吐出头对工件基板一面进行扫描,同时选择性地吐 出功能液滴的液滴吐出装置。 10.一种液晶显示装置之制造方法,系属于使用申请 专利范围第8项或第9项所记载的吐出装置,形成滤 光片元件在彩色滤光片的基板上的液晶显示装置 之制造方法,其特征为: 导入滤光片材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 并选择性地吐出前述滤光片材料来形成前述滤光 片元件。 11.一种有机电激发光装置之制造方法,系属于使用 申请专利范围第8项或第9项所记载的吐出装置,形 成有机电激发光层在基板上的画素图点(pixel)的有 机电激发光装置之制造方法,其特征为: 导入各色的发光材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述发光材料来形成前述有机电 激发光层。 12.一种电子放出装置之制造方法,系属于使用申请 专利范围第8项或第9项所记载的吐出装置,形成萤 光体在电极上的电子放电装置之制造方法,其特征 为: 导入萤光材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述电极上扫描, 且选择性地吐出前述萤光材料来形成前述萤光体 。 13.一种PDP装置之制造方法,系属于使用申请专利范 围第8项或第9项所记载的吐出装置,形成萤光体在 背面基板的凹部的PDP装置之制造方法,其特征为: 导入萤光材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述背面基板上 扫描,且选择性地吐出前述萤光材料来形成前述萤 光体。 14.一种电气泳动显示装置之制造方法,系属于使用 申请专利范围第8项或第9项所记载的吐出装置,形 成泳动体在电极上的凹部之电气泳动显示装置之 制造方法,其特征为: 导入泳动体材料到上述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述电极上扫描, 且选择性地吐出前述泳动体材料来形成前述泳动 体。 15.一种彩色滤光片之制造方法,系属于使用申请专 利范围第8项或第9项所记载的吐出装置,制造配列 滤光片元件在基板上所形成的彩色滤光片的彩色 滤光片之制造方法,其特征为: 导入滤光片材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在基板上扫描,且选 择性地吐出前述滤光片材料来形成前述滤光片元 件。 16.如申请专利范围第15项所记载之彩色滤光片之 制造方法,其中,在于形成覆盖前述滤光片元件的 保护膜,且形成前述滤光片元件后, 导入透光性的涂层材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述涂层材料来形成前述保护膜 。 17.一种有机电激发光之制造方法,系属于使用申请 专利范围第8项或第9项所记载的吐出装置,配列包 含有机电激发光层的画素图点在基板上所形成之 有机电激发光之制造方法,其特征为: 导入发光材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述发光材来形成前述有机电激 发光层。 18.如申请专利范围第17项所记载之有机电激发光 之制造方法,其中,在前述有机电激发光层与前述 基板之间,对应有机电激发光层来形成画素电极, 且导入液状电极材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在基板上扫描,且选 择性地吐出前述液状电极材料来形成前述画素电 极。 19.如申请专利范围第18项所记载之有机电激发光 之制造方法,其中,形成对向电极来覆盖前述有机 电激发光层, 且在于形成前述有机电激发光层后, 导入液状电极材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述液状电极材料来形成前述对 向电极。 20.一种间隔件形成方法,系属于使用申请专利范围 第8项或第9项所记载的吐出装置,形成在两片基板 间构成晶粒间隙的粒子状时间隔件之间隔件形成 方法,其特征为: 导入构成间隔件的粒子材料到前述功能液滴吐出 头, 至少相对于其中一端的前述基板上将前述功能液 滴吐出头进行扫描,且选择性地吐出前述粒子材料 来形成前述间隔件在基板上。 21.一种金属配线形成方法,系属于使用申请专利范 围第8项或第9项所记载的吐出装置,形成金属配线 在基板上之金属配线形成方法,其特征为: 导入液状金属材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述液状金属材料来形成前述金 属配线。 22.一种透镜形成方法,系属于使用申请专利范围第 8项或第9项所记载的吐出装置,形成微细透镜在基 板上之透镜形成方法,其特征为: 导入透镜材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述透镜材料来形成前述微细透 镜。 23.一种光阻剂形成方法,系属于使用申请专利范围 第8项或第9项所记载的吐出装置,形成各种形状的 光阻剂在基板上之光阻剂形成方法,其特征为: 导入光阻剂材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述光阻剂材料来形成前述光阻 剂。 24.一种光扩散体形成方法,系属于使用申请专利范 围第8项或第9项所记载的吐出装置,形成光扩散体 在基板上之光扩散体形成方法,其特征为: 导入光扩散材料到前述功能液滴吐出头, 使前述功能液滴吐出头相对地在前述基板上扫描, 且选择性地吐出前述光扩散材料来形成前述光扩 散体。 图式简单说明: 第1图,系与实施形态相关之吐出装置的液滴吐出 装置的上视模式图。 第2图,系与实施形态相关之吐出装置(液滴吐出装 置及附带装置)的侧视模式图。 第3图,系气密处埋室配管贯通部周围的放大断面 图。 第4图,是由多数根配管贯通之气密处理室配管贯 通部的放大立体图。 第5图,是由多数条配线(FFC)贯通之气密处理室配线 贯通部的放大立体图。 第6图,系第2实施形态之气密处理室配管贯通部周 围的放大断面图。 第7图,是由多数根配管贯通第2实施形态的气密处 理室配管贯通部的放大立体图。 第8图,是藉由实施形态的彩色滤光片之制造方法 制造的彩色滤光片的部份放大图。 第9图,系表示实施形态的彩色滤光片之制造方法 的制造程序断面图。 第10图,是藉由实施形态的彩色滤光片之制造方法 制造的液晶显示装置的断面图。 第11图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 层积部形成程序(无机物层积)的断面图。 第12图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 层积部形成程序(无机物层积)的断面图。 第13图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的电浆处理程序(亲水化处理)的断面图 。 第14图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的电浆处理程序(拨水化处理)的断面图 。 第15图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的正孔注入层形成程序(功能液滴吐出) 的断面图。 第16图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的正孔注入层形成程序(乾燥)的断面图 。 第17图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的表面改质程序(功能液滴吐出)的断面 图。 第18图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的表面改质程序(乾燥)的断面图。 第19图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的B发光层形成程序(功能液滴吐出)的断 面图。 第20图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的B发光层形成程序(乾燥)的断面图。 第21图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的R.G.B发光层形成程序的断面图。 第22图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的对向电极形成程序的断面图。 第23图,系与实施形态相关之有机电激发光装置之 制造方法的封止程序的断面图。 |
