| 主权项 |
1.一种磨光组合物,包含二氧化矽微粒、水以及多 胺基羧酸之铁盐及/或铝盐,其中该磨光组合物的pH 値范围由2.5至5.9。 2.如申请专利范围第1项之磨光组合物,进一步包含 一种无机酸及/或有机酸。 3.如申请专利范围第1项之磨光组合物,其中二氧化 矽微粒具有粒径分布为D90对D50之比(D90/D50)系由1.3 至3.0,以及D50系由10至600毫微米,其中D90定义为以数 値基础于累进粒径分布由较小粒径端计数90%时的 粒径以及其中D50定义为以数値基础于累进粒径分 布由较小粒径端计数50%时的粒径。 4.如申请专利范围第3项之磨光组合物,其中二氧化 矽微粒具有粒径分布为D10系由5至100毫微米,其中D 10定义为以数値基础于累进粒径分布由较小粒径 端计数10%时的粒径。 5.如申请专利范围第1项之磨光组合物,其中二氧化 矽微粒包含二或多种类型其D50彼此不同的二氧化 矽微粒,其中D50L对D50S之比(D50L/D50S)系由1.1至4.0以 及A对B之重量比[A/B]系由90/10至10/90,其中D50定义为 以数値基础于累进粒径分布由较小粒径端计数50% 时的粒径,其中D50L定义为二氧化矽微粒(B)拥有的 最大D50以及D50S定义为二氧化矽微粒(A)拥有的最小 D50。 6.如申请专利范围第1项之磨光组合物,其中二氧化 矽微粒具有粒径分布以数値基准于累进粒径分布 由较小粒径端计数于40毫微米粒径大小之百分比 为25%或以下,以及其中D50系由50至600毫微米,其中D50 定义为以数値基础于累进粒径分布由较小粒径端 计数50%时的粒径。 7.如申请专利范围第1项之磨光组合物,其可用于磨 光磁碟基材。 8.如申请专利范围第1项之磨光组合物,其中二氧化 矽微粒具有位径分布为D90对D50之比(D90/D50)系由1.3 至3.0,以及D50系由10至600毫微米,其中D90定义为以数 値基础于累进粒径分布由较小粒径端计数90%时的 粒径以及其中D50定义为以数値基础于累进粒径分 布由较小粒径端计数50%时的粒径,且其中多胺基羧 酸之金属盐的含量为0.02至20重量%。 9.一种磨光组合物,包含二氧化矽微粒、水、多胺 基羧酸之铁盐及/或铝盐,以及一无机酸及/或有机 酸,其中该磨光组合物的pH値范围由2.5至5.9。 10.一种磨光方法,包含施用如申请专利范围第1项 之磨光组合物。 11.一种制造磁碟基材之方法,包含使用如申请专利 范围第1项之磨光组合物磨光基材之步骤。 |
