发明名称 光阻膜剥离液组成物
摘要 本发明提供一种光阻膜剥离液组成物,于半导体电路元件之制造步骤的乾蚀刻及光阻灰化后的光阻残余物可予良好的去除,且对各种金属材料之不具腐蚀性的光阻膜剥离液组成物,以含有由脂肪族聚羧酸及其盐类与胺基聚羧酸及其盐选择的1种或2种以上之聚羧酸及/或其盐当作有效成分为特征的光阻膜剥离液组成物。
申请公布号 TWI228283 申请公布日期 2005.02.21
申请号 TW088102590 申请日期 1999.02.23
申请人 关东化学股份有限公司 发明人 石川典夫;须贺正典;森清人
分类号 H01L21/321;G03F7/42 主分类号 H01L21/321
代理机构 代理人 陈灿晖﹝已殁﹞ 台北市中正区武昌街1段64号8楼;洪武雄 台北市中正区博爱路80号6楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种光阻膜剥离液组成物,其特征在于含有由草 酸、丙二酸、酒石酸、苹果酸及琥珀酸及此等之 盐以及乙二胺四乙酸二铵盐及N-(2-羟乙基)-N,N',N'- 乙二胺三乙酸选出的一种或二种以上之有效成份, 且不含柠檬酸、柠檬酸之硷金属盐、柠檬酸之铵 盐之任一者。 2.如申请专利范围第1项之光阻膜剥离液组成物,其 中,有效成分系草酸或其盐及乙二胺四乙酸或其盐 者。 3.如申请专利范围第1项之光阻膜剥离液组成物,其 系适用于由Al-Si-Cu而成的配线材料或由钛酸,锆酸 盐(PZT)而成的强介电体上去除光阻残留物者。 4.如申请专利范围第1项之光阻膜剥离液组成物,其 系供去除灰化处理后的堆积聚合物用者。 5.如申请专利范围第1项至第4项之任一项之光阻膜 剥离液组成物,其不含有机溶剂者。
地址 日本