| 主权项 |
1.一种有机电致发光装置之制造方法,该有机电致 发光装置包含发光层在阳极与阴极之间,该方法包 含步骤: 在液相程序中,导入至少一电子传输层形成材料于 发光层与阴极之间;以及 形成电子传输层于发光层上。 2.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置之制 造方法,其中,电子传输层形成材料包含预定的成 分,其系选自硷金属、硷土族金属、及稀土族金属 的卤化物或氧化物中。 3.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置之制 造方法,其中,电子传输层形成材料系由LiF微粒被 分散于其中之分散溶液所做的。 4.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置之制 造方法,其中,电子传输层形成材料系由水溶液所 做的,而在该水溶液中,选自硷金属、硷土族金属 、及稀土族金属的卤化物或氧化物中之预定成分 被溶解于水中。 5.如申请专利范围第1项到第4项任一项之有机电致 发光装置之制造方法,其中,发光层实现蓝色发射 。 6.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置之制 造方法,其中,电子传输层形成材料系由有机金属 错合物所做的。 7.如申请专利范围第6项之有机电致发光装置之制 造方法,其中,有机金属错合物为-二酮错合物。 8.如申请专利范围第6项或第7项之有机电致发光装 置之制造方法,其中,发光层实现绿色及/或红色发 射。 9.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置之制 造方法,其中,液相程序对应于液滴排放程序。 10.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置之制 造方法,其中,电子传输层具有范围从0.1nm到20nm的 厚度。 11.一种有机电致发光装置之制造方法,包含步骤: 形成第一、第二、及第三阴极; 形成一蓝色发光层于第一阴极上方; 形成一绿色发光层于第二阴极上方; 形成一红色发光层于第三阴极上方; 在液相程序中,导入第一电子传输层形成材料,其 包含一选自硷金属、硷土族金属、及稀土族金属 的卤化物或氧化物中之预定成分,以便形成第一电 子传输层于蓝色发光层上;以及 在液相程序中,导入包含有机金属错合物之第二电 子传输层形成材料,以便分别形成第二及第三电子 传输层于绿色及红色发光层上。 12.如申请专利范围第11项之有机电致发光装置之 制造方法,其中,第一电子传输层形成材料系由LiF 微粒被分散于其中之分散溶液所做的。 13.如申请专利范围第11项之有机电致发光装置之 制造方法,其中,有机金属错合物为-二酮错合物 。 14.如申请专利范围第11项之有机电致发光装置之 制造方法,其中,液相程序对应于液滴排放程序。 15.如申请专利范围第11项之有机电致发光装置之 制造方法,其中,第一、第二、及第三电子传输层 具有范围从0.1nm到20nm的厚度。 16.一种包含有机电致发光装置之电子装置,其包含 : 多个发光层,配置在阳极与阴极之间;以及 多个电子传输层,其系藉由在液相程序中,导入至 少一电子传输层形成材料于发光层与阴极之间而 被形成在发光层上。 17.一种有机电致发光装置,包含: 多个发光层,配置在阴极与对应于图素电极的阳极 之间,阴极和阳极系彼此相向配置;以及 多个电子传输层,其系藉由在液相程序中,导入至 少一电子传输层形成材料于发光层与阴极之间而 分别被形成在多个发光层上。 18.如申请专利范围第17项之有机电致发光装置,其 中,电子传输层形成材料系依据液滴排放法来予以 导入,而藉由该液滴排放法,液滴被定位及排放在 配置于图素电极上方之有机组排层之开口内的预 定位置。 19.如申请专利范围第18项之有机电致发光装置,其 中,电子传输层形成材料系由选自硷金属、硷土族 金属、及稀土族金属的卤化物或氧化物中之预定 成分所组成的,使得电子传输层形成材料被导入于 有机组排层之开口中,以便形成电子传输层于实现 蓝色发射的发光层上。 20.如申请专利范围第18项之有机电致发光装置,其 中,电子传输层形成材料系由被表示成MAn之化学式 的有机金属错合物所组成的(其中,M表示中心原子; A表示配合基;及n表示中心原子M的价数),电子传输 层形成材料被导入于有机组排层之开口中,以便形 成电子传输层于实现红色或绿色发射的发光层上 。 21.如申请专利范围第20项之有机电致发光装置,其 中,有机金属错合物对应于-二酮错合物,其中,中 心原子M对应于Ca,且配合基A对应于乙醯丙酮(acac) 。 图式简单说明: 图1系一电路图,显示依据本发明较佳实施例之有 机电致发光装置的配线结构; 图2系一平面图,示意显示有机电致发光装置的电 路布局及结构; 图3系沿图2之线A-B所取下的剖面图; 图4系沿图2之线C-D所取下的剖面图; 图5系一放大图,显示图3所示之剖面结构的基本部 件; 图6A系一剖面图,显示依据本发明较佳实施例之有 机电致发光装置制造方法的第一步骤,其中,一多 晶矽层经由表面保护层而被形成于基板上; 图6B系一剖面图,显示制造方法的第二步骤,其中, 多晶矽层遭受图案化而形成矽层,其系覆盖有一闸 极绝缘层; 图6C系一剖面图,显示制造方法的第三步骤,其中, 源极和汲极区域被形成而相对于矽层,且一导电层 被形成以覆盖闸极绝缘层的整个表面; 图6D系一剖面图,显示制造方法的第四步骤,其中, 实施图案化以形成闸极电极,且阴极电源线同时被 形成; 图6E系一剖面图,显示制造方法的第五步骤,其中, 使用遮罩来实施离子植入,以掺杂杂质进入矽层中 ; 图6F系一剖面图,显示制造方法的第六步骤,其中, 第一层间绝缘层被形成以覆盖基板的整个表面,而 后藉由微影法以遭受图案化,因此形成接触孔于对 应源极和汲极电极的预定位置; 图6G系一剖面图,显示制造方法的第七步骤,其中, 一导电层被形成以覆盖第一层间绝缘层; 图6H系一剖面图,显示制造方法的第八步骤,其中, 导电层系使用遮罩而遭受图案化以形成源极和汲 极电极; 图6I系一剖面图,显示制造方法的第九步骤,其中, 第二层间绝缘层被形成以覆盖第一层间绝缘层; 图6J系一剖面图,显示制造方法的第十步骤,其中, 藉由蚀刻而形成对应于汲极电极的接触孔,穿透过 第二层间绝缘层; 图6K系一剖面图,显示制造方法的第十一步骤,其中 ,覆盖基板的整个表面之透明导电层遭受图案化以 形成图素电极及假性图案; 图6L系一剖面图,显示制造方法的第十二步骤,其中 ,一亲液控制层被形成以覆盖第二层间绝缘层上的 图素电极及假性图案; 图6M系一剖面图,显示制造方法的第十三步骤,其中 ,有机层系藉由微影法或蚀刻而遭受图案化,以便 形成有机组排层于亲液控制层的预定位置,而后遭 受电浆处理,且其中,电洞传输层系藉由液滴排放 、乾燥、及加热来予以形成的; 图6N系一剖面图,显示制造方法的第十四步骤,其中 ,发光层系藉由液滴排放、乾燥、及加热有机组排 层的开口内部来予以形成的; 图6O系一剖面图,显示制造方法的第十五步骤,其中 ,电子传输层系藉由液滴排放、乾燥、及加热有机 组排层的开口内部来予以形成的; 图6P系一剖面图,显示制造方法的第十六步骤,其中 ,阴极系使用铝,藉由蒸发或溅击来予以形成的,且 一胶封基板也被形成,以胶封组件及元件于基板上 ;以及 图7系一立体图,显示包含有机电致发光装置之电 子装置(例如,可携式电话)的外观。 |
