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1.一种喷墨头晶片结构的制作方法,系先于一基板 上形成至少一电晶体,并建立致动元件,其步骤包 含: 形成一热阻层于该基板上方,该热阻层系经由该电 晶体提供电流或电压以产生致动之能量,进而将墨 滴推出; 形成一第一导电层,其片电阻系低于该热阻层,该 第一导电层与该热阻层附着并产生电性接触; 形成一层际绝缘层覆盖于该基板表面,其厚度小于 该第一导电层加上该热阻层之厚度和; 于该层际绝缘层表面定义一光阻层或其他供定义 之牺牲层,仅露出预定形成覆盖保护层的该层际绝 缘层区域; 沉积该覆盖保护层且去除该光阻层;及 于该层际绝缘层上方制作一第二导电层,该第二导 电层之任一部份材质均不同于该覆盖保护层。 2.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片结构的 制作方法,其中该第一导电层的厚度为2500埃至7000 埃。 3.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片结构的 制作方法,其中该覆盖保护层之材质系选自钽、钨 、铬、镍、钛、矽及其合金所组成的族群。 4.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片结构的 制作方法,其中该层际绝缘层系由氮化矽(S3N4)和碳 化矽(SiC)材料所组成。 5.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片结构的 制作方法,其中该第二导电层之材质系选自金、铝 、铜、铂、银及其合金所组成的族群。 6.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片结构的 制作方法,其中该第二导电层更包含有一金属层际 阻隔层。 7.如申请专利范围第6项所述之喷墨头晶片结构的 制作方法,其中该金属层际阻隔层之材质系为熔点 高于摄氏650度,且电阻率低于5.010-3欧姆-公分(- cm)之非绝缘性材料。 8.一种喷墨头晶片结构,系将致动元件建立于含有 电晶体之一基板上,其包含: 一热阻层,利用该电晶体控制电流或电压通过该热 阻层以产生致动能量,进而将墨滴推出; 一第一导电层,其片电阻系低于该热阻层,该第一 导电层与该热阻层附着并产生电性接触; 一层际绝缘层,系形成于该基板上,该层际绝缘层 厚度小于该第一导电层加上该热阻层之厚度和; 一覆盖保护层,系形成于该层际绝缘层上方;及 一第二导电层,制作于该层际绝缘层上方,该第二 导电层之任一部份材质均不同于该覆盖保护层。 9.如申请专利范围第8项所述之喷墨头晶片结构,其 中该第一导电层的厚度为2500埃~7000埃。 10.如申请专利范围第8项所述之喷墨头晶片结构, 其中该覆盖保护层之材质系选自钽、钨、铬、镍 、钛、矽及其合金所组成的族群。 11.如申请专利范围第8项所述之喷墨头晶片结构, 其中该层际绝缘层系由氮化矽(S3N4)和碳化矽(SiC) 材料所组成。 12.如申请专利范围第8项所述之喷墨头晶片结构, 其中该第二导电层之材质系选自金、铝、铜、铂 、银及其合金所组成的族群。 13.如申请专利范围第8项所述之喷墨头晶片结构, 其中该第二导电层更包含有一金属层际阻隔层。 14.如申请专利范围第13项所述之喷墨头晶片结构, 其中该金属层际阻隔层之材质系为熔点高于摄氏 650度,且电阻率低于5.010-3欧姆-公分(-cm)之非绝 缘性材料。 图式简单说明: 第1图为n通道金氧半场效电晶体之结构示意图;及 第2图至第7图为本发明实施例的制作流程图。 |
