高介电常数之介电陶磁组成物以及电子元件

摘要

一种高介电常数介电陶瓷组成物，其包含有：由 BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、MgTiO5，以及Bi2TiO5所构成之主成分；以及由NiO、CeO2以及MnO所构成之副成分，其中当所有上述主成分全体为100莫尔%时，BaTiO3占主成分全体之74.24~79.97莫尔%、BaZrO3占主成分全体之5.69~12.04莫尔%、CaTiO3占主成分全体之7.84~12.13莫尔%、 MgTiO5占主成分全体之3.11~4.72莫尔%、Bi2TiO5占主成分全体之0.10~0.60莫尔%，且当所有上述主成分重量为100重量%时，NiO的重量百分比为0.1重量%以下(0除外)，CeO2的重量百分比为0.1重量%以下(0除外)，MnO的重量百分比为0.2重量%以下(0除外)。上述高介电常数介电陶瓷组成物，必要时可进一步包含SiO2，其含量在相对上述主成分重量为100重量%时为0.2重量%以下(0除外)。上述高介电常数介电陶瓷组成物之比介电常数高达9000、交流破坏电压高，且对温度之静电容量变化率小。

主权项

1.一种高介电常数介电陶瓷组成物,其特征为包含 有: 由BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、MgTiO5,以及Bi2TiO5所构成之 主成分;以及 由NiO、CeO2,以及MnO所构成之副成分, 其中当所有上述主成分全体为100莫尔%时,BaTiO3占 主成分全体之74.24~79.97莫尔%、BaZrO3占主成分全体 之5.69~12.04莫尔%、CaTiO3占主成分全体之7.84~12.13莫 尔%、MgTiO5占主成分全体之3.11 ~4.72莫尔%、Bi2TiO5占 主成分全体之0.10~0.60莫尔%, 且当所有上述主成分重量为100重量%时,NiO的重量 百分比为0.1重量%以下(0除外),CeO2的重量百分比为0 .1重量%以下(0除外),MnO的重量百分比为0.2重量%以 下(0除外)。 2.如申请专利范围第1项所述之高介电常数介电陶 瓷组成物,其特征为进一步包含SiO2,其含量在相对 上述主成分重量为100重量%时为0.2重量%以下(0除外 )。 3.一种高介电常数介电陶瓷组成物,其特征为包含 有: 由BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、MgTiO5,以及Bi2TiO5所构成之 主成分;以及 由NiO、CeO2以及MnO所构成之副成分, 其中当所有上述主成分全体为100莫尔%时,BaTiO3占 主成分全体之74.38~79.79莫尔%、BaZrO3占主成分全体 之7.33~10.15莫尔%、CaTiO3占主成分全体之8.34~12.13莫 尔%、MgTiO5占主成分全体之3.40~3.76莫尔%、Bi2TiO5占 主成分全体之0.10 ~0.60莫尔%, 且当所有上述主成分重量为100重量%时,NiO的重量 百分比为0.1重量%以下(0除外),CeO2的重量百分比为0 .1重量%以下(0除外),MnO的重量百分比为0.2重量%以 下(0除外)。 4.如申请专利范围第3项所述之高介电常数介电陶 瓷组成物,其特征为进一步包含SiO2,其含量在相对 上述主成分重量为100重量%时为0.2重量%以下(0除外 )。 5.如申请专利范围第3项所述之高介电常数介电陶 瓷组成物,其特征为在相对上述主成分重量为100重 量%时,NiO的重量百分比为0.04~0.10重量%,CeO2的重量 百分比为0.03 ~0.10重量%,MnO的重量百分比为0.01~0.19 重量%以下(0除外)。 6.如申请专利范围第1项所述之高介电常数介电陶 瓷组成物,其比介电常数在9000以上。 7.如申请专利范围第3项所述之高介电常数介电陶 瓷组成物,其比介电常数在9000以上。 8.一电子元件,其具有一介电层,此介电层之特征为 包含有: 由BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、MgTiO5、以及Bi2TiO5所构成之 主成分;以及 由NiO、CeO2以及MnO所构成之副成分, 其中当所有上述主成分全体为100莫尔%时,BaTiO3占 主成分全体之74.24-~79.97莫尔%、BaZrO3占主成分全体 之5.69~12.04莫尔%、CaTiO3占主成分全体之7.84~12.13莫 尔%、MgTiO5占主成分全体之3.11~4.72莫尔%、Bi2TiO5占 主成分全体之0.10 ~0.60莫尔%, 且当所有上述主成分重量为100重量%时,NiO的重量 百分比为0.1重量%以下(0除外),CeO2的重量百分比为0 .1重量%以下(0除外),MnO的重量百分比为0.2重量%以 下(0除外)。 9.如申请专利范围第8项所述之电子元件,其中该介 电层之特征为进一步包含SiO2,其含量在相对上述 主成分重量为100重量%时为0.2重量%以下(0除外)。 10.一电子元件,其具有一介电层,此介电层之特征 为包含有: 由BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、MgTiO5,以及Bi2TiO5所构成之 主成分;以及 由NiO、CeO2以及MnO所构成之副成分, 其中当所有上述主成分全体为100莫尔%时,BaTiO3占 主成分全体之74.38~79.79莫尔%、BaZrO3占主成分全体 之7.33~10.15莫尔%、CaTiO3占主成分全体之8.34~12.13莫 尔%、MgTiO5占主成分全体之3.40~3.76莫尔%、Bi2TiO5占 主成分全体之0.10 ~0.60莫尔%, 且当所有上述主成分重量为100重量%时,NiO的重量 百分比为0.1重量%以下(0除外),CeO2的重量百分比为0 .1重量%以下(0除外),MnO的重量百分比为0.2重量%以 下(0除外)。 11.如申请专利范围第10项所述之电子元件,其中该 介电层之特征为进一步包含SiO2,其含量在相对上 述主成分重量为100重量%时为0.2重量%以下(0除外) 。 12.如申请专利范围第10项所述之电子元件,其中该 介电层之特征为在相对上述主成分重量为100重量% 时,NiO的重量百分比为0.04~0.10重量%,CeO2的重量百分 比为0.03~0.10重量%,MnO的重量百分比为0.01 ~0.19重量% 以下(0除外)。