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发明名称
A METHOD FOR MAKING A FERROELECTRIC MEMORY CELL IN A FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND A FERROELECTRIC MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号
KR20050016580(A)
申请公布日期
2005.02.21
申请号
KR20047020588
申请日期
2004.12.17
申请人
发明人
分类号
H01L27/105;(IPC1-7):H01L27/105
主分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
主权项
地址
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