发明名称 A METHOD FOR MAKING A FERROELECTRIC MEMORY CELL IN A FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND A FERROELECTRIC MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050016580(A) 申请公布日期 2005.02.21
申请号 KR20047020588 申请日期 2004.12.17
申请人 发明人
分类号 H01L27/105;(IPC1-7):H01L27/105 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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