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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Flachgrabenisolierung in einem Halbleitersubstrat
摘要
申请公布号 DE19821452(B4) 申请公布日期 2005.02.17
申请号 DE19981021452 申请日期 1998.05.13
申请人 UNITED MICROELECTRONICS CORP., HSIN-CHU 发明人 CHANG, YI-CHUN;KUO, MING-SHENG
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/311 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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