发明名称 Selbstausgerichtete Maske zum Verringern der Zellenlayoutfläche
摘要 Selbstausgerichtete Durchführungen und Gräben, die zwischen benachbarte Metallisierungsleitungen geätzt wurden, ermöglichen es, die Fläche des dielektrischen Substrats, die der Durchführung oder dem Graben zugeordnet ist, deutlich zu verkleinern, ohne dass die Möglichkeit elektrischer Kurzschlüsse zu den benachbarten Metallisierungsleitungen zunimmt.
申请公布号 DE102004029355(A1) 申请公布日期 2005.02.17
申请号 DE200410029355 申请日期 2004.06.17
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK 发明人 COSTRINI, GREG;GAIDIS, MICHAEL C.;RATH, DAVID L.;GLASHAUSER, WALTER
分类号 H01L21/60;(IPC1-7):H01L21/283;H01L21/311;H01L21/321 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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