METHOD FOR PRODUCING A CONTACT AND ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING SAID TYPE OF CONTACT

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung passivierter Grenzflächen (6a, 6b) zwischen einer ersten Schicht, wie einem Silizid (5) und einer angrenzenden Schicht. Während des Verfahrens werden Passivierungselemente, wie S, Se, Te, in diese Schichtstruktur eingebracht und während einer Temperaturbehandlung an mindestens einer Grenzfläche der ersten Schicht zur angrenzenden Schicht angerei­chert. Dadurch gelingt es Schottky-Barrieren zu redu­zieren und die Austrittsarbeit der Übergänge einzustel­len. Bauelemente, z. B. Schottky-Barrieren MOSFETs mit klei­nen oder gar negativen Schottky-Barrieren als Source­- und / oder Drain-Kontakten und Spintransistoren sind offenbart.