发明名称 Halbleiterspeicher mit kurzer effektiver Wortleitungszykluszeit sowie Verfahren zum Lesen von Daten aus einem derartigen Halbleiterspeicher
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Lesen von Daten aus einem Halbleiterspeicher, umfassend folgende Schritte in dieser Reihenfolge: DOLLAR A - Bereitstellen zumindest einer ersten Speicherbank und zumindest einer Spiegelspeicherbank, welche jeweils zur Speicherung einer Vielzahl binärer Daten ausgelegt sind, wobei in der Spiegelspeicherbank die identischen Daten wie in der ersten Speicherbank gespeichert sind, DOLLAR A - Empfangen eines Lesebefehls von zu lesenden Daten aus der ersten Speicherbank, DOLLAR A - Prüfen mittels einer Zustandsprüfungseinrichtung des Halbleiterspeichers, ob sich die erste Speicherbank in einem geöffneten Speicherbankzustand befindet, und DOLLAR A -- falls sich die erste Speicherbank in dem geöffneten Speicherbankzustand befindet, Lesen der zu lesenden Daten aus der zumindest einen Spiegelspeicherbank und DOLLAR A -- falls sich die erste Speicherbank nicht in dem geöffneten Speicherbankzustand befindet, Lesen der zu lesenden Daten aus der ersten Speicherbank, DOLLAR A wobei der geöffnete Speicherzustand ein derartiger Speicherzustand der Speicherbank ist, welcher das Lesen der zu lesenden Daten nicht ohne zuvoriges Schließen einer offenen Wortleitung der Speicherbank ermöglicht. Die Erfindung betrifft ferner einen entsprechenden Halbleiterspeicher.
申请公布号 DE10332314(A1) 申请公布日期 2005.02.17
申请号 DE20031032314 申请日期 2003.07.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DORTU, JEAN-MARC;SPIRKL, WOLFGANG
分类号 G11C7/10;G11C7/22;G11C11/4076;G11C11/4096;(IPC1-7):G11C11/407;G11C7/00 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人
主权项
地址