发明名称 |
Vertikales Leistungshalbleiterbauelement |
摘要 |
Ein vertikales Leistungshalbleiterbauelement, z. B. eine Diode oder ein IGBT, bei dem auf der Rückseite (R) eines Substrats (S) eine Rückseitentemperatur (14, 14a) oder ein Kathodenemitter (24) und darüber eine diese wenigstens teilweise bedeckende rückseitige Metallschicht (15; 25) gebildet sind, ist dadurch gekennzeichnet, dass im Randbereich (11; 21) des Bauelements (1-4) Injektionsdämpfungsmittel (18; 28; 14a; 15a) zur Verringerung der Ladungsträgerinjektion aus dem Rückseitenemitter (14, 14a) bzw. dem Kathodenemitter (24) in diesen Randabschnitt (11; 21) vorgesehen sind.
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申请公布号 |
DE10330571(A1) |
申请公布日期 |
2005.02.17 |
申请号 |
DE20031030571 |
申请日期 |
2003.07.07 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
MAUDER, ANTON;RUETHING, HOLGER;MILLER, GERHARD;SCHULZE, HANS-JOACHIM |
分类号 |
H01L29/08;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/70;H01L21/328 |
主分类号 |
H01L29/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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