| 发明名称 |
Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH462325(A) |
申请公布日期 |
1968.09.15 |
| 申请号 |
CH19670009256 |
申请日期 |
1967.06.29 |
| 申请人 |
GENERAL INSTRUMENT CORPORATION |
发明人 |
MARION WANLASS,FRANK |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/225;H01L21/316;H01L29/423;(IPC1-7):H01L7/32 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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