| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines Bipolar-Transistors und eines MOS-Transistor-Gates |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19836032(B4) |
申请公布日期 |
2005.02.17 |
| 申请号 |
DE1998136032 |
申请日期 |
1998.08.10 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP.(N.D.GES.D.STAATES DELAWARE), SANTA CLARA |
发明人 |
EL-DIWANY, MONIR |
| 分类号 |
H01L21/8249;H01L27/06;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/331 |
主分类号 |
H01L21/8249 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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