磷掺杂单晶矽之制造方法及磷掺杂N型单晶矽晶圆

摘要

本发明系一种磷掺杂单晶矽之制造方法，系针对藉由切克劳斯基法来制造出P(磷)掺杂的单晶矽之方法，其特征为：使得Al(铝)浓度至少为2×10^12atoms／cc以上，来进行单晶的成长。藉此，提供一种能够简单且价廉地制造出例如未含有V区域、OSF区域及大差排群(LSEPD、LFPD)区域，而具有高耐压之优异的电气特性之无缺陷区域的磷掺杂单晶矽之方法。