发明名称 积体电路之电容结构及其制造方法
摘要 本发明提供一种积体电路之电容结构及其制造方法。提供一基底,其上具有一第一导体层。形成一第一绝缘层于基底上,并覆盖第一导体层。形成一沟槽于部分第一绝缘层中。形成一下电极于沟槽的侧壁上。形成一顺应的介电层于下电极与槽沟的底部上。形成一双镶嵌开口于第一绝缘层中,该开口底部系露出第一导体层。将一导体材料填满沟槽与双镶嵌开口,而同时形成一上电极与一内连线结构。其中,下电极系藉由内连线结构而电性连接第一导体层。
申请公布号 TW200507172 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW092121462 申请日期 2003.08.06
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 忻斌一;魏正泉
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路八号