形成非对称间隔体之方法

摘要

兹揭示一种用于形成非对称间隔体之方法，其系可整合至积体电路半导体元件用之制程内。本方法包含在基板上形成闸极结构，以及形成覆盖该闸极结构与基板之边墙层，其中该边墙层包含覆盖该闸极结构之第一边墙之第一部份。形成邻近于该第一部份的光阻结构，且以离子束照射该光阻结构。该光阻结构用来替该第一部份之至少一部份挡掉离子束。照射期间，调整晶圆的方向使得在该离子束之路径与该第一边墙之表面之间有一非正交的倾斜角度。困未被屏蔽的边墙部份有辐射损伤，让随后的蚀刻能以较快的速率进行，故而得以形成非对称间隔体。