应变矽于矽锗上之浅沟隔离结构

摘要

一种电子元件之隔离结构与其形成方法被揭露。电子元件系于包含一应变矽层与其下的一矽锗基层的底材上制作。隔离结构包含一沟槽从底材上表面向下延伸进入矽锗基层，并于底材中形成侧壁。一磊晶矽衬里选择性沉积于沟槽侧壁上，并且接着热氧化。沟槽以沟槽介电质填满，并突出于底材上表面上。