多重闸极电晶体与其形成方法及形成一半导体元件的方法

摘要

本发明系揭露一种多重闸极电晶体130，其包括一半导体鳍片134形成于部分半导体块材基底132上，一闸极介电质144覆盖于部分半导体鳍片134上，且一闸电极146覆盖于该闸极介电质之上；一源极区138与一汲极区140相对形成于邻近闸电极146之半导体鳍片134上。于较佳实施例中，闸电极146之底部表面150较源极–基底接面154或汲极–基底接面152为低。