深沟渠式电容器与动态随机存取记忆体的制造方法

摘要

一种深沟渠式电容器的制造方法，此方法系首先在一基底中形成一浅沟渠，之后在浅沟渠底部之表面上形成掺杂层。接着，进行热制程以使掺杂层中之离子扩散至基底中而形成掺杂区，此掺杂区系位于基底下方大于1微米之处。然后，对浅沟渠进行蚀刻制程以形成深沟渠。继之，在深沟渠底部之基底中形成下电极。之后，在深沟渠底部之表面形成介电层。然后，在深沟渠中形成上电极。由于所形成之掺杂区其系位于基底下方大于1微米之处，所以可以提高寄生电晶体之启始电压。