限幅器电路及其半导体积体电路

摘要

在矽基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部份处形成闸极氧化膜。闸极电极26之两侧处形成源极及汲极而作成MOS电晶体。由MOS电晶体61和62组成的差动放大电路构成了限幅器电路。经由此，限幅器电路可获致大的增益。