| 摘要 |
发明摘要：本发明提供一种多位元记忆单元之制造方法，首先，提供一具有介电层之半导体基底，介电层上形成有一闸极；接着，以闸极为罩幕对半导体基底进行蚀刻以去除露出表面之介电层，且于闸极及半导体基底之表面上顺应性形成一氧化层；然后，于氧化层上顺应性形成一绝缘层；接着，再于绝缘层上顺应性形成一氧化层，并对此三层进行蚀刻步骤以在闸极侧壁之外侧形成一以氧化层／绝缘层／氧化层组成之三层间隙壁；并以闸极及间隙壁为罩幕，对半导体基底进行离子植入步骤，以在半导体基底上形成一源汲极区；最后，在去除露出表面之氧化层之后，于露出表面之闸极及源汲极区之表面上形成一金属矽化物。 |
