静态随机存取记忆体之结构及其制造方法

摘要

一种静态随机存取记忆体(Static Random Access Memory；SRAM)之结构及其制造方法。本发明之SRAM晶胞为一种N型主动区(Active Region)与P型主动区间之复晶矽层上并无接触插塞(Contact Plug)之SRAM，例如分离字元线SRAM(Split WordLine SRAM ；SWL SRAM)，且此SRAM之负载电晶体与驱动电晶体系以翼状场效电晶体(Fin Field Effect Transistor ；FinFET)等技术来形成。在同一制程能力下，本发明可有效缩小SRAM晶胞尺寸，并藉以增加有效主动区面积而提升SRAM之效能。