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发明名称
使用漏电流与漏电流补偿系统的半导体测试元件
摘要
本发明是有关于一种半导体测试元件,使用漏电流以及/或漏电流的补偿系统,根据本发明各实施例的此半导体测试元件包括MOS电晶体,这些系与在半导体元件内的那些是用相似的制程制作,此半导体测试元件可以感应到正常或反常的漏电流,且会产生至少一个正常或反常的讯号作为结果,漏电流补偿系统可以根据半导体测试元件的正常与异常讯号,补偿在半导体元件中流动的漏电流。根据本发明的实施例,会透过漏电流补偿元件测试并控制半导体元件,以减少异常制作的MOS电晶体。
申请公布号
TW200507150
申请公布日期
2005.02.16
申请号
TW093122688
申请日期
2004.07.29
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
金光日
分类号
H01L21/66
主分类号
H01L21/66
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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