发明名称 使用漏电流与漏电流补偿系统的半导体测试元件
摘要 本发明是有关于一种半导体测试元件,使用漏电流以及/或漏电流的补偿系统,根据本发明各实施例的此半导体测试元件包括MOS电晶体,这些系与在半导体元件内的那些是用相似的制程制作,此半导体测试元件可以感应到正常或反常的漏电流,且会产生至少一个正常或反常的讯号作为结果,漏电流补偿系统可以根据半导体测试元件的正常与异常讯号,补偿在半导体元件中流动的漏电流。根据本发明的实施例,会透过漏电流补偿元件测试并控制半导体元件,以减少异常制作的MOS电晶体。
申请公布号 TW200507150 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW093122688 申请日期 2004.07.29
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 金光日
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国