发明名称 覆晶封装构造制造方法
摘要 本发明揭示一种制造覆晶封装构造之方法。首先,形成一助焊剂图案,该助焊剂图案具有一部分以及一外围部分围绕该部分并且比该部分厚。接着,将一半导体晶片浸入该助焊剂图案。该半导体晶片具有复数个凸块(central bump)以及复数个外围凸块(peripheral bump)设于该凸块外围。将该半导体晶片浸入该助焊剂图案时,该凸块系浸入该助焊剂图案的部分并且该外围凸块系浸入该助焊剂图案的外围部分,使得在将该半导体晶片从该助焊剂图案取出之后该外围凸块所覆盖的助焊剂比凸块多。然后,将该半导体晶片置放在一基板上,使得该半导体晶片之凸块以及外围凸块对齐该基板上的接垫。下一步,回焊该凸块以及该外围凸块,藉此将该半导体晶片电性以及机械性连接于基板。
申请公布号 TW200507205 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW092122557 申请日期 2003.08.15
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王颂斐
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 花瑞铭
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路二十六号