发明名称 | 多晶片封装结构及其制程 | ||
摘要 | 一种多晶片封装结构,至少包括一承载器、至少一封装模组、一绝缘层及一图案化金属层。承载器具有一表面,而封装模组系位在承载器之表面上,封装模组具有多个晶片,晶片系为堆叠接合,而晶片之间可以利用覆晶的方式电性连接。绝缘层系位在承载器之表面上并包覆封装模组,绝缘层具有多个导通孔,导通孔系连通至承载器及封装模组之表面,其中至少一导通孔垂直于承载器之表面的深度系大于封装模组垂直于承载器之表面的高度。图案化金属层系位在绝缘层上并填入于导通孔中,以做为本发明多晶片封装结构之内连线层。 | ||
申请公布号 | TW200507197 | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
申请号 | TW092121788 | 申请日期 | 2003.08.08 |
申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 何昆耀;宫振越 |
分类号 | H01L23/28 | 主分类号 | H01L23/28 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县新店市中正路五三三号八楼 |