半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法系在基底上形成闸极结构之后，在闸极结构的侧壁形成一内间隙壁，再于内间隙壁的侧壁形成外间隙壁。接着，以外间隙壁与闸极结构为罩幕，进行离子植入制程，以在基底中形成浓掺杂源极／汲极区。之后，将外间隙壁去除，再以内间隙壁以及闸极结构为罩幕，进行离子植入制程，以在基底中形成淡掺杂源极／汲极区。