单结晶之制造方法

摘要

本发明提供一种单结晶之制造方法，其特征为：于藉由施加磁场的丘克拉斯基法(Czochralski method)来制造单结晶的方法中，至少将收容在坩埚中之熔融液内的最小磁场强度设在2000G以上的范围，将熔融液内的最大磁场强度设在6000G以下的范围，而且将最大与最小磁场强度的差除以其距离的值亦即最大磁场斜率设在55G／cm以下的范围，来提拉单结晶。藉此方式，可提供一种在施加磁场的丘克拉斯基法中，可生产力良好地制造出高品质之单结晶的方法。